CSD23202W10全国供应商 CSD23202W10资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD23202W10
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18210
TI/德州仪器
DSBGA-4
24+
-
全新原装正品现货热卖

CSD23202W10
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
989
TI
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

CSD23202W10
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD23202W10
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

CSD23202W10
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
17260
TEXAS INS
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

CSD23202W10
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
TI/德州仪器
DSBGA-4
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

CSD23202W10
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
436
TI
con
24+
-
集成电路（IC）

CSD23202W10
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
436
TI
con
24+
-
集成电路（IC）

CSD23202W10
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
36521
APEC/富鼎
DSBGA4
2023
-
全新原装现货，支持BOM表配单

CSD23202W10
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
40000
TI
DSBGA4
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

CSD23202W10
深圳市深科创科技有限公司
深圳市深科创科技有限公司
联系人：吴先生/吴小姐/朱先生
电话：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票
7500
TI/德州仪器
DSBGA4
2020+
-
全新原装现货渠道优势库存假一罚十

CSD23202W10
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
73554
TI/德州仪器
NA
22+
-
18万条库存，一站式配齐

CSD23202W10
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
5000
TI/德州仪器
NA
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

CSD23202W10T
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
TEXAS INSTRUMENTS
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

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1

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功能描述
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.2A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
53 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
3.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
512pF @ 6V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
4-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装
4-DSBGA（1x1）
标准包装
1

CSD23202W10 技术参数

CSD23201W10 功能描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:82 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:325pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:4-DSBGA（1x1）标准包装:1 CSD22206WT 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:8V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:14.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2275pF @ 4V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.7 毫欧 @ 2A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:9-DSBGA（1.5x1.5）封装/外壳:9-UFBGA，DSBGA 标准包装:1 CSD22205LT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:8V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:8.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1390pF @ 4V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.9 毫欧 @ 1A， 4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:4-PICOSTAR 封装/外壳:4-XFLGA 标准包装:1 CSD22204WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:8V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.9m? @ 2A, 4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24.6nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1130pF @ 4V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:9-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:9-DSBGA 标准包装:1 CSD22202W15 功能描述:MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:8V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.2 毫欧 @ 2A、 4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1390pF @ 4V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:9-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:9-DSBGA 标准包装:1 CSD23382F4 CSD23382F4T CSD2410 CSD2410F CSD24168 CSD242010 CSD24208 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308

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