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CSD25404Q3

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人：陈先生 13360533550

    电话：0755-83289799

    地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层 香港新界葵兴葵康大厦6楼

    资质：营业执照

  • 31360

  • TI(德州仪器)

  • 22+

  • -

  • 原装原厂现货

  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪宝宇

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 321158

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：洪宝宇

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）

    资质：营业执照

  • 321158

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-292759351581559886118576729816

    地址：广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 69800

  • TI

  • 近两年生产

  • 8-TDFN

  • -

  • 每一片都来自原厂

  • CSD25404Q3T
    CSD25404Q3T

    CSD25404Q3T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13969210552

    地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质：营业执照

  • 321158

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 优势库存，原装正品

  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13969210552

    地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 321158

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • CSD25404Q3
    CSD25404Q3

    CSD25404Q3

  • 深圳市品业电子有限公司
    深圳市品业电子有限公司

    联系人：李小姐

    电话：0755-23895664

    地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55

  • 8520

  • TI

  • SON3x3

  • 18+

  • -

  • 只做原装正品 现货 价格优势

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包装
  • 剪切带（CT）
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • P 沟道
  • 技术
  • MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
  • 20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
  • 104A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 1.8V，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.15V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
  • 14.1nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）
  • ±12V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
  • 2120pF @ 10V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 2.8W（Ta），96W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
  • 6.5 毫欧 @ 10A，4.5V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • 8-VSON（3.3x3.3）
  • 封装/外壳
  • 8-PowerVDFN
  • 标准包装
  • 1
CSD25404Q3 技术参数
  • CSD25402Q3A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 72A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.9 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1790pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3） 标准包装:1 CSD25401Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），60A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.7 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3） 标准包装:1 CSD25310Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 48A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23.9 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:655pF @ 10V 功率 - 最大值:2.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:* 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-WSON（2x2） 标准包装:1 CSD25304W1015T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32.5 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD25304W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32.5 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:6-DSBGA 标准包装:1 CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012
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