CSD25480F3T

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CSD25480F3T
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TI
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CSD25480F3T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
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功能描述
-20V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.7A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
110 毫欧 @ 400mA，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.25V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
0.91nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
155pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
3-XFDFN
供应商器件封装
3-PICOSTAR
标准包装
1

CSD25480F3T 技术参数

CSD25404Q3T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:104A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2120pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD25404Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:104A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:14.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2120pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），96W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:1 CSD25402Q3A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 72A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.9 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1790pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD25401Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.7 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD25310Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 48A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23.9 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:655pF @ 10V 功率 - 最大值:2.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-WSON（2x2）标准包装:1 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V