CSD19538Q3AT全国供应商 CSD19538Q3AT资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD19538Q3AT
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
6000
TI/德州仪器
VSONP-8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

CSD19538Q3AT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD19538Q3AT
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
320338
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD19538Q3AT
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
320338
TI
con
24+
-

CSD19538Q3AT
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
320338
TI
con
24+
-

CSD19538Q3AT
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
320338
TI
con
24+
-
优势库存，原装正品

CSD19538Q3AT
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
320338
TI
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

CSD19538Q3AT
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TI
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
新产品
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
59 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
4.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
454pF @ 50V
功率 - 最大值
2.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.15）
标准包装
1

CSD19538Q3AT 技术参数

CSD19538Q3A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:59 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSONP（3x3.15）标准包装:1 CSD19538Q2T 功能描述:MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:59 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:454pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-WSON（2x2）标准包装:1 CSD19538Q2 功能描述:MOSFET NCH 100V 14.4A SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）, 20.2W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:59 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-WSON（2x2）封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘标准包装:1 CSD19537Q3T 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD19537Q3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10 CSD23202W10 CSD23202W10T CSD23203W CSD23203WT CSD23280F3 CSD23280F3T