CSD19538Q2T全国供应商 CSD19538Q2T资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD19538Q2T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD19538Q2T
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
TI(德州仪器)
WSON-FET-6
刚到货
-
代理可含税开票

CSD19538Q2T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
29239
TI/德州仪器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原装

CSD19538Q2T
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5250
TI/德州仪器
WSON-6
23+
-
原厂原装正品现货

CSD19538Q2T
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Texas Instruments
6-WSON
17+
-
全新原装现货

CSD19538Q2T
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
16000
TI
NA
23+
-
MOSFET

CSD19538Q2T
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
36890
TI
WSON-6
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

CSD19538Q2T
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1590
Texas Instruments
6-WDFN 裸露焊盘
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

CSD19538Q2T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
(DQK)
19
-
瑞智芯只有原装

CSD19538Q2T
深圳市宏浩通电子科技有限公司
深圳市宏浩通电子科技有限公司
联系人：王利娟
电话：13823141664
地址：华强北街道上步工业区305栋3楼B08
12000
TI
N/A
21+
-
原装正品假一赔十

CSD19538Q2T
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
21+
3000
SOP
-
进口原装现货支持实单价优

CSD19538Q2T
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3945
TI/华雄半导体
WSON6
2237+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

CSD19538Q2T
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
6000
TI/德州仪器
(DQK)|6
22+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

CSD19538Q2T
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
13951
TI(德州仪器)
21+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
新产品
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13.1A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
59 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
5.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
454pF @ 50V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-WSON（2x2）
标准包装
1

CSD19538Q2T 技术参数

CSD19538Q2 功能描述:MOSFET NCH 100V 14.4A SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）, 20.2W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:59 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-WSON（2x2）封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘标准包装:1 CSD19537Q3T 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD19537Q3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD19536KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12000pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA 供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 标准包装:1 CSD19536KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:153nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12000pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 100A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DDPAK/TO-263-3 封装/外壳:TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA 标准包装:1 CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10 CSD23202W10 CSD23202W10T CSD23203W CSD23203WT