CSD19535KTT全国供应商 CSD19535KTT资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

配单专家企业名单

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说明
操作

CSD19535KTT
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
29169
22+
-
原装原厂现货

CSD19535KTT
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

CSD19535KTT
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220
25+
-
国产品牌，替代进口

CSD19535KTT
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
TI/德州仪器
TO-263
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

CSD19535KTTT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD19535KTTT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3000
TI
TO-2633
15+
-
全新原装现货

CSD19535KTT
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
3000
TI/德州仪器
TO-263
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

CSD19535KTTT
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
TEXAS INSTRUMENTS
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
98nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7930pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.4 毫欧 @ 100A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
DDPAK/TO-263-3
封装/外壳
TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
标准包装
1

CSD19535KTT 技术参数

CSD19535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:101nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7930pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 CSD19534Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15.1 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD19534Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15.1 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1680pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD19534KCS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1670pF @ 50V 功率 - 最大值:118W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 CSD19533Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A VSONP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.4 毫欧 @ 13A，6V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2670pF @ 50V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSONP（5x6）标准包装:1 CSD19538Q3AT CSD2 CSD20030D CSD20060D CSD201610 CSD20166 CSD20168 CSD20168SS CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L