CSD18535KTTT

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD18535KTTT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD18535KTTT
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
0
2025+
原厂封装
13500
-
全新原装现货，价格优势，假一罚十

CSD18535KTTT
深圳市欧瑞芯电子有限公司
深圳市欧瑞芯电子有限公司
联系人：韩小姐原装、张先生代理、张小姐香港公司
电话：0755-82714889135304089901847561915913682488994
地址：深圳市福田区现代之窗A座11C/香港元朗区宏业西街33号元朗贸易中心206室
资质：营业执照
35000
TI/德州仪器
TO-263-3
25+
-
原厂原装现货支持实单

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： CSD18536KCS CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT CSD18541F5

CSD18535KTTT PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CSD18535KTTT PDF下载

功能描述
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
200A（Ta），279A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
81nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
6620pF @ 30V
功率 - 最大值
300W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA
供应商器件封装
DDPAK/TO-263-3
标准包装
1

CSD18535KTTT 技术参数

CSD18535KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:81nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6620pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 100A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220-3 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 CSD18534Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.8 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1770pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD18534KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1880pF @ 30V 功率 - 最大值:107W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 CSD18533Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.9 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2750pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD18533Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.9 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2750pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-SON（5x6）标准包装:1 CSD18541F5T CSD18542KCS CSD18542KTT CSD18542KTTT CSD18543Q3A CSD18543Q3AT CSD18563Q5A CSD18563Q5AT CSD19501KCS CSD19502Q5B CSD19502Q5BT CSD19503KCS CSD19505KCS CSD19505KTT CSD19505KTTT CSD19506KCS CSD19506KTT CSD19506KTTT