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参数资料
| 型号： | C1573B |
| 厂商： | Panasonic Corporation |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion planer type(For high breakdown voltage general amplification) |
| 中文描述： | 硅npn型三重扩散（对于高击穿电压一般放大龙门式） |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | C1573B |
2
Transistor
2SC1573, 2SC1573A, 2SC1573B
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
I
C
— I
B
V
CE(sat)
— I
C
I
B
— V
BE
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
I
B
=2mA
1.8mA
1.6mA
1.4mA
1.2mA
1.0mA
0.8mA
0.2mA
0.4mA
0.6mA
Ta=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
0
2.0
1.6
0.4
Base current I
B
(mA)
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
V
=10V
Ta=25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
=10V
Ta=25C
B
B
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0
360
300
240
180
120
60
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
–1
–3
–10
–30
–100
0
160
120
40
100
140
80
20
60
V
=10V
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
T
T
1
3
10
30
100
0
10
8
6
4
2
9
7
5
3
1
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
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