参数资料
型号: C2D10120A
厂商: Cree Inc
文件页数: 3/6页
文件大小: 414K
描述: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
产品培训模块: SiC Diodes in Inverter Modules
SiC Schottky Diodes
产品目录绘图: Circuit and Pin Out
标准包装: 50
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - (Vr)(最大): 1200V(1.2kV)
电流 - 平均整流 (Io): 17A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.8V @ 10A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr): 0ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 200µA @ 1200V
电容@ Vr, F: 1000pF @ 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220-2
包装: 管件
产品目录页面: 1574 (CN2011-ZH PDF)
3
C2D10120 Rev. F
100.0100
90.090
80.080
70.070
60.060
50.050
40.040
30.030
20.020
10.010
0.00
Figure
3.
Current
Derating
Figure
5.
Capacitance
vs.
Reverse
Voltage
Typical Performance
I
F(AVG)
Forward Current (A)
C2D10120
Peak Forward Current
Page 1
25
25 50 75 100 125 150 175
50 75 100 125 150 175
Case Temperature (Case Temperature
°C)
I
F(PEAK)
Peak Forward Current (A)
10%
Duty*
20%
Duty*
30%
Duty*
50%
Duty*
70%
Duty*
DC
TC
* Frequency
>
1KHz
VR Reverse Voltage (V)
C
Capacitance (pF)
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1
10 100 1000
Figure
4.
Power
Derating
150
175
200
225
250
275
300
325
350
Power Dissipation (W)
0
25
50
75
100
125
25 50 75 100 125 150 175
Power Dissipation (W)
TcCase Temperature (°C)T
C
?C
P
Tot
(W)
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PDF描述
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参数描述
C2D10120D 功能描述:肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x5A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
C2D10120D 制造商:Cree 功能描述:Diode 制造商:Cree 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE, CMN CTHD, 10A, TO-247
C2D20120 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode
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C2D20120D 制造商:Cree 功能描述:Diode 制造商:Cree 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE, CMN CTHD, 20A TO-247