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参数资料
| 型号： | C3D02060E |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 802K |
| 描述： | DIODE SCHOT 600V 2A ZREC TO252 |
| 产品培训模块： | SiC Diodes in Inverter Modules SiC Schottky Diodes |
| 产品目录绘图： | Circuit and Pin Out |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | Z-Rec™ |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.7V @ 2A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 120pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-2 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
4
C3D02060E Rev. D
Typical Performance
40.040
35.035
30.030
25.025
20.020
15.015
10.010
5.05
0.00
Power Dissipation (W)
TC Case Temperature (Tc
Case Temperature (°C°C))
2525 50 75 100 125 150 175
50
75
100
125
150
175
Figure
6.
Power
Derating
Power Dissipation (W)
Power Dissipation (W)
POS
Inches
Millimeters
Min
Max
Min
Max
A
.250
.289
6.350
7.341
B
.197
.215
5.004
5.461
C
.027
.050
.686
1.270
D*
.270
.322
6.858
8.179
E
.178
.182
4.521
4.623
F
.025
.045
.635
1.143
G
44?
46?
44?
46?
H
.380
.410
9.652
10.414
J
.090
TYP
2.286
TYP
K
6?
8?
6?
8?
L
.086
.094
2.184
2.388
M
.018
.034
.457
.864
N
.035
.050
.889
1.270
P
.231
.246
5.867
6.248
Q
0.00
.005
0.00
.127
R
R0.010
TYP
R0.254
TYP
S
.017
.023
.432
.584
T
.038
.045
.965
1.143
U
.021
.029
.533
.737
Package Dimensions
Package
TO-252-2
Note:
*
Tab
“D”
may
not
be
present
*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3D02060F | DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| C3D02060E | 制造商:Cree 功能描述:Diode 制造商:Cree 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE, 2A, 600V TO-252 |
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| C3D02065E | 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 2A (DC) Surface Mount TO-252-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:2A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 2A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:120pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:75 |
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