参数资料
型号: C3D02060F
厂商: Cree Inc
文件页数: 2/6页
文件大小: 672K
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO220
标准包装: 50
系列: Z-Rec™
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.7V @ 2A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr): 0ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 600V
电容@ Vr, F: 120pF @ 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 全封装,隔离接片
供应商设备封装: TO-220-F2
包装: 管件
2
C3D02060F Rev. D
00
11
22
33
44
55
66
0 100 200 300 400 500 600 700 800 9000 100 200 300 400 500 600 700 800 900
I
R
Reverse Current (uA)
V
VRReverse Voltage (V)R
Reverse Voltage (V)
Current(A)
D2_75C
D2_125C
D2_175C
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.5
1.8
1.7
2.4
V
IF
=
2
A
TJ=25°C
IF
=
2
A
TJ=175°C
IR
Reverse
Current
10
20
50
100
μA
VR
= 600 V T
J=25°C
VR
= 600 V T
J=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
4.8
nC
VR
=
600
V,
IF
=
2A
di/dt
=
500
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
120
12
11
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
200
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:
1.
This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
13.8
°C/W
Typical Performance
00.0
0.50.5
1.01.0
1.51.5
2.02.0
2.52.5
3.03.0
3.53.5
4.04.0
0.0
0.0
0.5 0.5
1.0 1.0
1.5 2.0 2.5 3.0 1.5
2.0
2.5
3.0
I
F
Forward Current (A)
Forward Voltage (V)
VFForward Voltage (V)
D1_25C
D1_75C
D1_125C
D1_175C
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
TJ =
25°C
T
J =
75°C
T
J =
125°C
T
J =
175°C
I
F
Forward Current (A)
VF
TJ =
25°C
TJ =
75°C
TJ =
125°C
TJ =
175°C
I
R
Reverse Current (
μ
A)
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