参数资料
型号: C3D04060A
厂商: Cree Inc
文件页数: 2/6页
文件大小: 660K
描述: DIODE SCHOT 600V 4A ZREC TO220
产品培训模块: SiC Diodes in Inverter Modules
SiC Schottky Diodes
产品目录绘图: Circuit and Pin Out
标准包装: 50
系列: Z-Rec™
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 4A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.8V @ 4A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr): 0ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50µA @ 600V
电容@ Vr, F: 251pF @ 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220-2
包装: 管件
产品目录页面: 1574 (CN2011-ZH PDF)
2
C3D04060A Rev. D
66
77
88
99
1010
Reverse Current (uA)
TO-220 4A
Series1
0
0
11
22
33
44
55
0 100 200 300 400 500 600 700 800 0
100
200
300
400
500
600
700
800
I
R
Reverse Current (uA)
VR
Reverse Voltage (V)
VRReverse Voltage (V)
Series2
Series3
Series4
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.5
1.8
1.8
2.4
V
IF
=
4
A
TJ=25°C
IF
=
4
A
TJ=175°C
IR
Reverse
Current
10
20
50
100
μA
VR
= 600 V T
J=25°C
VR
= 600 V T
J=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
8.5
nC
VR
=
600
V,
IF
=
4A
di/dt
=
500
A/μs
TJ
=
25°C
1
C
Total
Capacitance
251
22
21
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
200
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:
1.
This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
TO-220
Package
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
2.02
°C/W
Typical Performance
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
0.00
1.01.0
2.02.0
3.03.0
4.04.0
5.05.0
6.06.0
7.07.0
8.08.0
0.0
0.0
0.5 0.5
1.0 1.0
1.5 2.0 2.5 3.0 1.5
2.0
2.5
3.0
I
F
Forward Current (A)
Forward Voltage (V)
VFForward (V)
Current(A)
Series2
Series3
Series4
TJ =
25°C
T
J =
75°C
T
J =
125°C
T
J =
175°C
I
F
Forward Current (A)
VF
TJ =
25°C
TJ =
75°C
TJ =
125°C
TJ =
175°C
I
R
Reverse Current (
μ
A)
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