参数资料
型号: C3D06065A
厂商: Cree Inc
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文件大小: 775K
描述: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2
标准包装: 50
系列: Z-Rec™
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - (Vr)(最大): 650V
电流 - 平均整流 (Io): 6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.8V @ 6A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr): 0ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 60µA @ 650V
电容@ Vr, F: 294pF @ 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220-2
包装: 管件
1
C3D06065A Rev. A
C3D06065A
Silicon Carbide Schottky Diode
Z-Rec?
RectifieR
Features
?
650-Volt
Schottky
Rectifer
? ?
Zero
Reverse
Recovery
Current
Zero
Forward
Recovery
Voltage
? ?
High-Frequency
Operation
Temperature-Independent
Switching
Behavior
?
Extremely
Fast
Switching
?
Positive
Temperature
Coeffcient
on
VF
Benefts
?
Replace
Bipolar
with
Unipolar
Rectifers
?
Essentially
No
Switching
Losses
?
Higher
Effciency
?
Reduction
of
Heat
Sink
Requirements
?
Parallel
Devices
Without
Thermal
Runaway
Applications
?
Switch
Mode
Power
Supplies
?
Power
Factor
Correction
-
Typical
PFC
Pout
:
600W-1200W
?
Motor
Drives
-
Typical
Power
:
2HP-3HP
Package
TO-220-2
Maximum Ratings (T
C
=
25
?C
unless
otherwise
specifed)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Test Conditions
Note
VRRM
Repetitive
Peak
Reverse
Voltage
650
V
VRSM
Surge
Peak
Reverse
Voltage
650
V
VDC
DC
Blocking
Voltage
650
V
IF
Continuous
Forward
Current
19
8.5
6
A
TC=25?C
TC=135?C
TC=152?C
IFRM
Repetitive
Peak
Forward
Surge
Current
41
27
A
TC=25?C,
tP =
10
ms,
Half
Sine
Wave,
D=0.3
TC=110?C,
tP=10
ms,
Half
Sine
Wave,
D=0.3
IFSM
Non-Repetitive
Peak
Forward
Surge
Current
70
55
A
TC=25?C,
tp
=
10
mS,
Half
Sine
Wave,
D=0.3
TC=110?C,
tp
=
10
mS,
Half
Sine
Wave,
D=0.3
IFSM
Non-Repetitive
Peak
Forward
Surge
Current
200
A
TC=25?C,
tP =
10
μs,
Pulse
Ptot
Power
Dissipation
79
34
W
TC=25?C
TC=110?C
TJ
,
Tstg
Operating
Junction
and
Storage
Temperature
-55 to
+175
?C
TO-220
Mounting
Torque
1
8.8
Nm
lbf-in
M3
Screw
6-32
Screw
PIN
1
PIN
2
CASE
Part Number
Package
Marking
C3D06065A
TO-220-2
C3D06065
VRRMVRRM
= 650 V
=
650 V
IF (ITF;
C=135?C) TC<135?C= 8.5 A
=
8.6 A
Qc
Qc
==
nC
16
nC
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