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参数资料
| 型号： | C3D08060A |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 787K |
| 描述： | DIODE SCHOT 600V 8A ZREC TO220 |
| 产品培训模块： | SiC Diodes in Inverter Modules SiC Schottky Diodes |
| 产品目录绘图： | Circuit and Pin Out |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Z-Rec™ |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.8V @ 8A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 441pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220-2 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
2
C3D08060G Rev. F
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.6
1.9
1.8
2.4
V
IF
= 8 A T
J=25°C
IF
= 8 A T
J=175°C
IR
Reverse
Current
10
20
50
200
μA
VR
= 600 V T
J=25°C
VR
= 600 V T
J=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
21
nC
VR
=
600
V,
IF
= 8A
di/dt
=
500
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
441
39
33
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
200
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:
1. This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
1.4
°C/W
Typical PerformanceForward Characteristics
6
6
7
7
8
8
9
9
10
10
Forward Current (A)
0
0
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
0.00.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F
Forward Current (A)
Forward Voltage (V)VF
Forward Vota (V)
6060
7070
8080
9090
100100
Reverse Current (uA)
Reverse Characteristics
00
1010
2020
3030
4040
5050
00 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
I
R
Reverse Current (uA)
R Reverse Voltage (V)VR
Reverse Voltage (V)
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
V
I
R
Reverse Current (
μ
A)
TJ
= 25°C
T
J
= 75°C
T
J
=
125°C
T
J
= 175°C
VF
I
F
Forward Current (A)
TJ
= 25°C
T
J
= 75°C
T
J
=
125°C
T
J
= 175°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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