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参数资料
| 型号： | C3D08060G |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 787K |
| 描述： | DIODE SCHOT 600V 8A ZREC TO263 |
| 产品培训模块： | SiC Diodes in Inverter Modules SiC Schottky Diodes |
| 产品目录绘图： | Circuit and Pin Out |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Z-Rec™ |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.8V @ 8A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 441pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263-2 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
4
C3D08060G Rev. F
Typical Performance
Figure
6.
Power
Derating
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
25
50
75
100
125
150
175
Power Dissipation (W)
TCCase Temperature (°C)
Diode Model
VT
RT
Diode Model CSD10060
Vf VfT
= V
T = VT + If*RT+If*RT
T
VVT T= =0.92 + (T
0.93+(T
-4
j
*
J-*1.35*10
-9.3*10-3)
)
RT =
0.058+(TJ*
5.7*10-3)
-4)
RT= 0.052 + (Tj
* 0.29*10
Note: Tj
= Diode Junction Temperature In Degrees Celsius
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| C3D08060G | 制造商:Cree 功能描述:Diode 制造商:Cree 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE, 8A, 600V TO-263 |
| C3D08060G-TR | 制造商:Cree 功能描述:8A, 600V SIC 制造商:CREE 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE |
| C3D08065A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 8A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| C3D08065E | 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 25.5A (DC) Surface Mount TO-252-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）:25.5A（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 650V 不同?Vr，F 时的电容:395pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:75 |
| C3D08065I | 制造商:Cree 功能描述:DIODE SCHOTTKY 8A 650V TO-220-2 制造商:Cree 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE |
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