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参数资料
| 型号： | C3D25170H |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 461K |
| 描述： | DIODE SCHOT 1700V 26.3A TO-247-2 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Z-Rec™ |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1700V（1.7kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 26.3A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.5V @ 25A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 1700V |
| 电容@ Vr, F： | 2079pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-2 |
| 供应商设备封装： | TO-247-2 |
| 包装： | 管件 |
2
C3D25170H Rev. -
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
1
2
3
4
5
6
7
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward Voltage
1.8
3.2
2.5
4
V
IF
= 25 A T
J=25°C
IF
= 25 A T
J=175°C
IR
Reverse Current
20
100
100
400
μA
VR
= 1700 V T
J=25°C
VR
= 1700 V T
J=175°C
QC
Total Capacitive Charge
230
nC
VR
= 1700 V, I
F
= 25 A
di/dt
= 200 A/μs
TJ
= 25°C
C
Total Capacitance
2079
187.5
97
pF
VR
= 0 V, T
J
= 25°C, f = 1 MHz
VR
= 200 V, T
J
= 25?C, f = 1 MHz
VR
= 800 V, T
J
= 25?C, f = 1 MHz
Note:
1.
This is a majority carrier diode, so there is no reverse recovery charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
Thermal Resistance from Junction to Case
0.4
°C/W
Typical Performance
Figure 1. Forward Characteristics
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
Figure 2. Reverse Characteristics
I
F
(A)
VF
(V)
I
R
(μA)
VR
(V)
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
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