C3M (Switchcraft) PDF资料下载 Datasheet(1/1 页)

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C3M0065090D	功能描述:MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30.4nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30
C3M0065090J	功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:50
C3M0065090J-TR	功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800
C3M0065100J	功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK-7 封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 标准包装:50
C3M0065100K	功能描述:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiCFET (Silicon Carbide) 漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:TO-247-4 供应商器件封装:TO-247-4L 标准包装:1

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参数描述

功能描述:MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30.4nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30

C3M0065090J

功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:50

C3M0065090J-TR

功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800

C3M0065100J

功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK-7 封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 标准包装:50

C3M0065100K

功能描述:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiCFET (Silicon Carbide) 漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:TO-247-4 供应商器件封装:TO-247-4L 标准包装:1

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型号：	C3M
厂商：	Switchcraft Inc.
文件页数：	1/1页
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描述：	CONN AUDIO 3POS MALE PANEL MOUNT
RoHS指令信息：	Switchcraft RoHS Info.
产品目录绘图：	C3M
标准包装：	25
系列：	Q-G® C
连接器类型：	插座，公形引脚
位置数：	3
外壳尺寸 - 插件：	XLR
安装类型：	面板安装
端子：	焊杯
紧固型：	推挽式
方向：	带标记
外壳材料，表面处理：	锌铸件，镀镍
触点表面涂层：	银
包装：	散装
额定电流：	15A
电压 - 额定：	125VAC
产品目录页面：	477 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：	SC1008

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