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参数资料
| 型号： | C4D40120D |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 541K |
| 描述： | DIODE ARR SIC 1200V 27A TO247-3 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Z-Rec™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.8V @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 1200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 27A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
2
C4D40120D Rev. C
Electrical Characteristics (Per Leg)
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward Voltage
1.5
2.2
1.8
3
V
IF
= 20 A T
J=25°C
IF
= 20 A T
J=175°C
IR
Reverse Current
35
65
200
400
μA
VR
= 1200 V T
J=25°C
VR
= 1200 V T
J=175°C
QC
Total Capacitive Charge
130
nC
VR
= 1200 V, I
F
= 20A
di/dt
= 200 A/μs
TJ
= 25°C
C
Total Capacitance
1500
93
67
pF
VR
= 0 V, T
J
= 25°C, f = 1 MHz
VR
= 400 V, T
J
= 25?C, f = 1 MHz
VR
= 800 V, T
J
= 25?C, f = 1 MHz
1.Note:This is a majority carrier diode, so there is no reverse recovery charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
RθJC
Thermal Resistance from Junction
to Case
0.29**
0.57*
°C/W
**
Per Device,
*
Per Leg
Typical Performance (Per Leg)
Figure 1. Forward Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
4
Figure 2. Reverse Characteristics
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
500
1000
1500
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
I
F
(A)
I
R
(mA)
VR
(V)
VF
(V)
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