- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17091 > C8051F120-TB (Silicon Laboratories Inc)BOARD PROTOTYPING W/C8051F120 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | C8051F120-TB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 111/350页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD PROTOTYPING W/C8051F120 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | MCU |
| 适用于相关产品： | C8051F120 |
| 所含物品： | 板 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页当前第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页第228页第229页第230页第231页第232页第233页第234页第235页第236页第237页第238页第239页第240页第241页第242页第243页第244页第245页第246页第247页第248页第249页第250页第251页第252页第253页第254页第255页第256页第257页第258页第259页第260页第261页第262页第263页第264页第265页第266页第267页第268页第269页第270页第271页第272页第273页第274页第275页第276页第277页第278页第279页第280页第281页第282页第283页第284页第285页第286页第287页第288页第289页第290页第291页第292页第293页第294页第295页第296页第297页第298页第299页第300页第301页第302页第303页第304页第305页第306页第307页第308页第309页第310页第311页第312页第313页第314页第315页第316页第317页第318页第319页第320页第321页第322页第323页第324页第325页第326页第327页第328页第329页第330页第331页第332页第333页第334页第335页第336页第337页第338页第339页第340页第341页第342页第343页第344页第345页第346页第347页第348页第349页第350页
C8051F120/1/2/3/4/5/6/7
C8051F130/1/2/3
Rev. 1.4
199
15. Flash Memory
All devices include either 128 kB (C8051F12x and C8051F130/1) or 64 kB (C8051F132/3) of on-chip,
reprogrammable Flash memory for program code or non-volatile data storage. An additional 256-byte
page of Flash is also included for non-volatile data storage. The Flash memory can be programmed in-sys-
tem through the JTAG interface, or by software using the MOVX write instructions. Once cleared to logic 0,
a Flash bit must be erased to set it back to logic 1. Bytes should be erased (set to 0xFF) before being
reprogrammed. Flash write and erase operations are automatically timed by hardware for proper execu-
tion. During a Flash erase or write, the FLBUSY bit in the FLSTAT register is set to ‘1’ (see SFR Definition
16.5). During this time, instructions that are located in the prefetch buffer or the branch target cache can be
executed, but the processor will stall until the erase or write is completed if instruction data must be fetched
from Flash memory. Interrupts that have been pre-loaded into the branch target cache can also be ser-
viced at this time, if the current code is also executing from the prefetch engine or cache memory. Any
interrupts that are not pre-loaded into cache, or that occur while the core is halted, will be held in a pending
state during the Flash write/erase operation, and serviced in priority order once the Flash operation has
completed. Refer to Table 15.1 for the electrical characteristics of the Flash memory.
15.1. Programming the Flash Memory
The simplest means of programming the Flash memory is through the JTAG interface using programming
tools provided by Silicon Labs or a third party vendor. This is the only means for programming a non-initial-
ized device. For details on the JTAG commands to program Flash memory, see Section “25. JTAG (IEEE
The Flash memory can be programmed from software using the MOVX write instruction with the address
and data byte to be programmed provided as normal operands. Before writing to Flash memory using
MOVX, Flash write operations must be enabled by setting the PSWE Program Store Write Enable bit
(PSCTL.0) to logic 1. This directs the MOVX writes to Flash memory instead of to XRAM, which is the
default target. The PSWE bit remains set until cleared by software. To avoid errant Flash writes, it is rec-
ommended that interrupts be disabled while the PSWE bit is logic 1.
Flash memory is read using the MOVC instruction. MOVX reads are always directed to XRAM, regardless
of the state of PSWE.
On the devices with 128 kB of Flash, the COBANK bits in the PSBANK register (SFR Definition 11.1)
determine which of the upper three Flash banks are mapped to the address range 0x08000 to 0x0FFFF for
Flash writes, reads and erases.
For devices with 64 kB of Flash. the COBANK bits should always remain set to ‘01’ to ensure that Flash
write, erase, and read operations are valid.
NOTE: To ensure the integrity of Flash memory contents, it is strongly recommended that the on-
chip
VDD monitor be enabled by connecting the VDD monitor enable pin (MONEN) to VDD and set-
ting the PORSF bit in the RSTSRC register to ‘1’ in any system that writes and/or erases Flash
memory from software. See “Reset Sources” on page 177 for more information.
A write to Flash memory can clear bits but cannot set them; only an erase operation can set bits in Flash.
A byte location to be programmed must be erased before a new value can be written
.
Write/Erase timing is automatically controlled by hardware. Note that on the 128 k Flash versions, 1024
bytes beginning at location 0x1FC00 are reserved. Flash writes and erases targeting the reserved area
should be avoided.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDR-T3 | SCOTCH CODE REFILL T3 |
| EK-V6-ML631-G | VIRTEX-6 HXT FPGA ML631 EVAL KIT |
| EK-V6-ML630-G | VIRTEX-6 HXT FPGA ML630 EVAL KIT |
| ECM18DRKN-S13 | CONN EDGECARD 36POS .156 EXTEND |
| EK-V6-ML630-G-J | VIRTEX-6 HXT FPGA ML630 EVAL KIT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| C8051F120-TB-K | 功能描述:BOARD PROTOTYPING W/C8051F120 制造商:silicon labs 系列:- 零件状态:在售 板类型:评估平台 类型:MCU 8-位 核心处理器:8051 操作系统:- 平台:- 配套使用产品/相关产品:C8051F12x 安装类型:固定 内容:板 标准包装:1 |
| C8051F121 | 功能描述:8位微控制器 -MCU 100M 128KB 12ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F121-GQ | 功能描述:8位微控制器 -MCU 100MIPS 128KB 12ADC 64P MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F121-GQR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 100MIPS 128KB 12ADC Tape and Reel RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F121R | 功能描述:8位微控制器 -MCU 100M/ADC 12/64Pin RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。