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参数资料
| 型号： | C8051F303-GMR |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 174/178页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC 8051 MCU 8K FLASH 11QFN |
| 产品培训模块： | Serial Communication Overview |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | C8051F30x |
| 核心处理器： | 8051 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 25MHz |
| 连通性： | SMBus（2 线/I²C），UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 8 |
| 程序存储器容量： | 8KB（8K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 10-VFDFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 配用： | 336-1444-ND - ADAPTER PROGRAM TOOLSTICK F300 |
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viced in priority order after the Flash operation has been completed and interrupts have been
re-enabled by software.
10. Make certain that the Flash write and erase pointer variables are not located in XRAM. See
your compiler documentation for instructions regarding how to explicitly locate variables in dif-
ferent memory areas.
11. Add address bounds checking to the routines that write or erase Flash memory to ensure that
a routine called with an illegal address does not result in modification of the Flash.
10.4.3. System Clock
12. If operating from an external crystal, be advised that crystal performance is susceptible to
electrical interference and is sensitive to layout and to changes in temperature. If the system is
operating in an electrically noisy environment, use the internal oscillator or use an external
CMOS clock.
13. If operating from the external oscillator, switch to the internal oscillator during Flash write or
erase operations. The external oscillator can continue to run, and the CPU can switch back to
the external oscillator after the Flash operation has completed.
Additional Flash recommendations and example code can be found in AN201, "Writing to Flash from Firm-
ware", available from the Silicon Laboratories web site.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-JNJ-IW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W |
| VE-B6M-IX | CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W |
| VE-JNJ-IW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W |
| VE-JNJ-IW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W |
| VE-B6K-IW | CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| C8051F303-GS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8KB Flash RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F303-GSR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8KB 14Pin MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F303R | 功能描述:8位微控制器 -MCU No ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F304 | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F304-GM | 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB 11P MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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