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参数资料
| 型号： | C8051F820-GM |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 244/250页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20QFN |
| 产品培训模块： | Serial Communication Overview |
| 特色产品： | QuickSense? Portfolio |
| 标准包装： | 91 |
| 系列： | C8051F82x |
| 核心处理器： | 8051 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 25MHz |
| 连通性： | SMBus（2 线/I²C），SPI，UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 17 |
| 程序存储器容量： | 8KB（8K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 512 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 336-1800-5 |
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Rev. 1.0
93
C8051F80x-83x
15.1. Program Memory
The members of the C8051F80x-83x device family contain 16 kB (C8051F80x and C8051F810/1), 8 kB
(C8051F812/3/4/5/6/7/8/9 and C8051F82x), or 4 kB (C8051F830/1/2/3/4/5) of re-programmable Flash
memory that can be used as non-volatile program or data storage. The last byte of user code space is
used as the security lock byte (0x3FFF on 16 kB devices, 0x1FFF on 8 kB devices and 0x0FFF on 4 kB
devices).
Figure 15.2. Flash Program Memory Map
15.1.1. MOVX Instruction and Program Memory
The MOVX instruction in an 8051 device is typically used to access external data memory. On the
C8051F80x-83x devices, the MOVX instruction is normally used to read and write on-chip XRAM, but can
be re-configured to write and erase on-chip Flash memory space. MOVC instructions are always used to
read Flash memory, while MOVX write instructions are used to erase and write Flash. This Flash access
feature provides a mechanism for the C8051F80x-83x to update program code and use the program mem-
ory space for non-volatile data storage. Refer to Section “19. Flash Memory” on page 113 for further
details.
15.2. Data Memory
The members of the C8051F80x-83x device family contain 512 bytes (C8051F80x, C8051F81x, and
C8051F820/1/2/3) or 256 bytes (C8051F824/5/6/7/8/9 and C8051F830/1/2/3/4/5) of RAM data memory.
For all C8051F80x-83x devices, 256 bytes of this memory is mapped into the internal RAM space of the
8051. For the devices with 512 bytes of RAM, the remaining 256 bytes of this memory is on-chip “external”
memory. The data memory map is shown in Figure 15.1 for reference.
15.2.1. Internal RAM
There are 256 bytes of internal RAM mapped into the data memory space from 0x00 through 0xFF. The
lower 128 bytes of data memory are used for general purpose registers and scratch pad memory. Either
direct or indirect addressing may be used to access the lower 128 bytes of data memory. Locations 0x00
through 0x1F are addressable as four banks of general purpose registers, each bank consisting of eight
byte-wide registers. The next 16 bytes, locations 0x20 through 0x2F, may either be addressed as bytes or
as 128 bit locations accessible with the direct addressing mode.
The upper 128 bytes of data memory are accessible only by indirect addressing. This region occupies the
same address space as the Special Function Registers (SFR) but is physically separate from the SFR
space. The addressing mode used by an instruction when accessing locations above 0x7F determines
Lock Byte
0x0000
0x3FFF
0x3FFE
F
L
A
S
H
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512
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page
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0x3E00
Flash Memory Space
Lock Byte Page
Lock Byte
0x0000
0x1FFF
0x1FFE
0x1E00
Flash Memory Space
Lock Byte Page
Lock Byte
0x0000
0x0FFF
0x0FFE
0x0E00
Flash Memory Space
Lock Byte Page
C8051F80x and
C8051F810/1 (16kB)
C8051F812/3/4/5/6/7/8/9
and C8051F82x (8 kB)
C8051F830/1/2/3/4/5 (4 kB)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD78F9512GR-JJG-A | MCU 8BIT SGL CHIP 16PIN |
| VI-J3D-IW-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W |
| C8051F826-GS | IC MCU 8BIT 8KB FLASH 16SOIC |
| VI-J3D-IW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W |
| VI-J3B-IW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| C8051F820-GMR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8kB 512B RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F820-GU | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8kB, 512B RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F820-GUR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8kB 512B RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F821-GS | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8kB, 512B RAM 12-ch CDC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| C8051F821-GSR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8kB 512B RAM 12-CH CDC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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