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参数资料
| 型号： | C8051T604-GS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 118/188页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC 8051 MCU 2K-EEPROM 14-SOIC |
| 产品培训模块： | Serial Communication Overview |
| 标准包装： | 56 |
| 系列： | C8051T60x |
| 核心处理器： | 8051 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 25MHz |
| 连通性： | SMBus（2 线/I²C），UART/USART |
| 外围设备： | POR，PWM，温度传感器，WDT |
| 输入/输出数： | 8 |
| 程序存储器容量： | 2KB（2K x 8） |
| 程序存储器类型： | OTP |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | 336-1404-ND - KIT DEV FOR C8051T60X MCU'S |
| 其它名称： | 336-1659-5 |
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Rev. 1.2
35
C8051T600/1/2/3/4/5/6
Table 8.7. Internal High-Frequency Oscillator Electrical Characteristics
VDD = 1.8 to 3.6 V; TA = –40 to +85 °C unless otherwise specified. Use factory-calibrated settings.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Oscillator Frequency
IFCN = 11b
24
24.5
25
MHz
Oscillator Supply Current
(from VDD)
25 °C, VDD = 3.0 V,
OSCICN.2 = 1
—
450
700
A
Power Supply Variance
Constant Temperature
—
±0.02
—
%/V
Temperature Variance
Constant Supply
—
±20
—
ppm/°C
Table 8.8. Temperature Sensor Electrical Characteristics
VDD = 3.0 V, –40 to +85 °C unless otherwise specified.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Linearity
—
±0.5
—
°C
Slope
—
3.2
—
mV/°C
Slope Error*
—
±80
—
V/°C
Offset
Temp = 0 °C
—
903
—
mV
Offset Error*
Temp = 0 °C
—
±10
—
mV
Note: Represents one standard deviation from the mean.
Table 8.9. Voltage Reference Electrical Characteristics
VDD = 3.0 V; –40 to +85 °C unless otherwise specified.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Input Voltage Range
0
—
VDD
V
Input Current
Sample Rate = 500 ksps; VREF = 2.5 V
—
12
—
A
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