参数资料
| 型号： | CAT24C512YI-GT3 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KB I2C SER 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 100kHz，400kHz，1MHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | CAT24C512YI-GT3OSDKR |
CAT24C512
Table 5. A.C. CHARACTERISTICS (Note 7)
V CC = 1.8 V to 5.5 V , T A = ? 40 ° C to +85 ° C and V CC = 2.5 V to 5.5 V, T A = ? 40 ° C to +125 ° C, unless otherwise specified.
Standard
V CC = 1.8 V ? 5.5 V
Fast
V CC = 1.8 V ? 5.5 V
Fast ? Plus
V CC = 2.5 V ? 5.5 V
T A = ? 40 5 C to +85 5 C
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
F SCL
t HD:STA
t LOW
t HIGH
t SU:STA
t HD:DAT
t SU:DAT
t R (Note 8)
t F (Note 8)
t SU:STO
t BUF
t AA
t DH
T i (Note 8)
t SU:WP
t HD:WP
t WR
Clock Frequency
START Condition Hold Time
Low Period of SCL Clock
High Period of SCL Clock
START Condition Setup Time
Data In Hold Time
Data In Setup Time
SDA and SCL Rise Time
SDA and SCL Fall Time
STOP Condition Setup Time
Bus Free Time Between
STOP and START
SCL Low to Data Out Valid
Data Out Hold Time
Noise Pulse Filtered at SCL
and SDA Inputs
WP Setup Time
WP Hold Time
Write Cycle Time
4
4.7
4
4.7
0
250
4
4.7
50
0
2.5
100
1,000
300
3.5
50
5
0.6
1.3
0.6
0.6
0
100
0.6
1.3
50
0
2.5
400
300
300
0.9
50
5
0.25
0.45
0.40
0.25
0
50
0.25
0.5
50
0
1
1,000
100
100
0.40
50
5
kHz
m s
m s
m s
m s
m s
ns
ns
ns
m s
m s
m s
ns
ns
m s
m s
ms
t PU (Notes 8, 9)
Power-up to Ready Mode
1
1
0.1
1
ms
7.
8.
9.
Test conditions according to “A.C. Test Conditions” table.
Tested initially and after a design or process change that affects this parameter.
t PU is the delay between the time V CC is stable and the device is ready to accept commands.
Table 6. A.C. TEST CONDITIONS
Input Levels
Input Rise and Fall Times
Input Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
0.2 x V CC to 0.8 x V CC
≤ 50 ns
0.3 x V CC , 0.7 x V CC
0.5 x V CC
Current Source: I L = 3 mA (V CC ≥ 2.5 V); I L = 1 mA (V CC < 2.5 V); C L = 100 pF
http://onsemi.com
4
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