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参数资料
| 型号： | CAT28C16AGI12 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 16KBIT 120NS 32PLCC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Jun/2011 |
| 标准包装： | 32 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 32-PLCC（11.43x13.97） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CAT28C16AGI-12 CAT28C16AGI-12-ND |
CAT28C16A
2.4 V
0.45 V
INPUT PULSE LEVELS
2.0 V
0.8 V
REFERENCE POINTS
Figure 2. A.C. Testing Input/Output Waveform (Note 11)
11. Input rise and fall times (10% and 90%) < 10 ns.
1.3 V
1N914
3.3K
DEVICE
UNDER
TEST
C L = 100 pF
OUT
C L INCLUDES JIG CAPACITANCE
Figure 3. A.C. Testing Load Circuit (example)
Table 7. A.C. CHARACTERISTICS, WRITE CYCLE (V CC = 5 V ± 10%, unless otherwise specified. )
28C16A ? 90
28C16A ? 12
28C16A ? 20
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
t WC
t AS
t AH
t CS
t CH
t CW (Note 12)
t OES
t OEH
t WP (Note 12)
t DS
t DH
Write Cycle Time
Address Setup Time
Address Hold Time
CE Setup Time
CE Hold Time
CE Pulse Time
OE Setup Time
OE Hold Time
WE Pulse Width
Data Setup Time
Data Hold Time
0
100
0
0
110
0
0
110
60
0
5
0
100
0
0
110
0
0
110
60
0
5
10
100
0
0
150
15
15
150
50
10
10
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t DL
Data Latch Time
5
10
5
10
50
ns
t INIT (Note 13)
Write Inhibit Period After Power ? up
0.05
100
0.05
100
5
20
ms
12. A write pulse of less than 20 ns duration will not initiate a write cycle.
13. This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CAT28C16AGI-20 | 制造商:Catalyst Semiconductor 功能描述: |
| CAT28C16AGI-20T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 16K-Bit CMOS PARA 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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