参数资料
型号: CAT28C65BKI-12
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: PROM
英文描述: 8K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDSO28
封装: SOIC-28
文件页数: 9/13页
文件大小: 418K
代理商: CAT28C65BKI-12
CAT28C65B
5
Doc. No. 1009, Rev. E
A.C. CHARACTERISTICS, Read Cycle
VCC = 5V
±10%, unless otherwise specified.
28C65B-90
28C65B-12
28C65B-15
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
tRC
Read Cycle Time
90
120
150
ns
tCE
CE Access Time
90
120
150
ns
tAA
Address Access Time
90
120
150
ns
tOE
OE Access Time
50
60
70
ns
tLZ(1)
CE Low to Active Output
0
ns
tOLZ(1)
OE Low to Active Output
0
ns
tHZ(1)(2)
CE High to High-Z Output
50
ns
tOHZ(1)(2)
OE High to High-Z Output
50
ns
tOH(1)
Output Hold from Address Change
0
ns
Figure 1. A.C. Testing Input/Output Waveform(3)
INPUT PULSE LEVELS
REFERENCE POINTS
2.0 V
0.8 V
2.4 V
0.45 V
1.3V
DEVICE
UNDER
TEST
1N914
3.3K
CL = 100 pF
OUT
CL INCLUDES JIG CAPACITANCE
Figure 2. A.C. Testing Load Circuit (example)
Note:
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
(2) Output floating (High-Z) is defined as the state when the external data line is no longer driven by the output buffer.
(3) Input rise and fall times (10% and 90%) < 10 ns.
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