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参数资料
| 型号： | CAT28F001G-12BT |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 16/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 1MBIT 120NS 32PLCC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 500 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 32-PLCC（11.43x13.97） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CAT28F001
Figure 8. Alternate Boot Block Access Method Using OE
WRITE
OE
VHH
VIH
WRITE PROGRAM OR
ERASE SETUP COMMAND
VALID ADDRESS AND DATA (PROGRAM)
OR ERASE CONFIRM COMMAND
AUTOMATED PROGRAM
OR ERASE DELAY
READ STATUS
REGISTER DATA
VIL
tGHHWL
tWHGH
WE
VIH
VIL
DATA
VIH
VIL
DIN
DIN
VALID
SR DATA
Figure 9. Alternate AC Waveform for Write Operations
OR ERASE CONFIRM COMMAND
VCC POWER-UP
& STANDBY
WRITE PROGRAM OR
ERASE SETUP COMMAND
WRITE
VALID ADDRESS & DATA (PROGRAM) AUTOMATED PROGRAM
OR ERASE DELAY
READ STATUS
REGISTER DATA
WRITE READ ARRAY
COMMAND
VIH
ADDRESSES
AIN
AIN
VIL
tAVAV
tAVEH
tEHAX
VIH
WE (W)
VIL
VIH
tWLEL
tEHWH
tEHGL
OE ( a )
VIL
CE (E)
VIH
VIL
tEHEL
tELEH
tEHQV 1, 2, 3, 4
VIH
HIGH Z
tDVE H
tEHDX
DATA I/O
VIL
tPHEL
DIN
DIN
VALID
SRD
DIN
VHH
6.5V
VIH
RP ( P )
VIL
VPPH
VPPL
VPP (V)
VIH
VIL
Doc. No. MD-1078, Rev. K
tPHHEH
tVPEH
16
tQVPH
tQVVL
? 2008 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSM44DREI | CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET |
| GCM11DRKS | CONN EDGECARD 22POS DIP .156 SLD |
| CAT28F001G-12B | IC FLASH 1MBIT 120NS 32PLCC |
| TAP335K050SCS | CAP TANT 3.3UF 50V 10% RADIAL |
| MBR340RL | DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CAT28F001G12T | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Flash Parallel 5V 1Mbit 128K x 8bit 120ns 32-Pin PLCC T/R |
| CAT28F001G-12T | 功能描述:闪存 (128x8) 1M 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001G-12TT | 功能描述:闪存 1 Megabit Boot Block 闪存 Memory RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F001G-12-T-T | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Flash Parallel 5V 1Mbit 128K x 8bit 120ns 32-Pin PLCC T/R |
| CAT28F001G-90B | 功能描述:闪存 (128x8) 1M 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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