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参数资料
| 型号： | CAT28F001GI-90T |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MEM 1MBIT 90NS 32PLCC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 32 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 90ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 32-PLCC（11.43x13.97） |
| 包装： | 托盘 |
CAT28F001
D.C. OPERATING CHARACTERISTICS
V CC = +5V ± 10%, unless otherwise specified
Limits
Symbol
I LI
Parameter
Input Leakage Current
Min.
Max.
± 1.0
Unit
μ A
Test Conditions
V IN = V CC or V SS
V CC = 5.5V
I LO
Output Leakage Current
± 10
μ A
V OUT = V CC or V SS ,
V CC = 5.5V
I SB1
V CC Standby Current CMOS
100
μ A
CE = V CC ± 0.2V = RP
V CC = 5.5V
I SB2
I PPD
I CC1
V CC Standby Current TTL
V PP Deep Powerdown Current
V CC Active Read Current
1.5
1.0
30
mA
μ A
mA
CE = RP = V IH , V CC = 5.5V
RP = GND ± 0.2V
V CC = 5.5V, CE = V IL ,
I OUT = 0mA, f = 8 MHz
I CC2(1)
V CC Programming Current
20
mA
V CC = 5.5V,
Programming in Progress
I CC3(1)
V CC Erase Current
20
mA
V CC = 5.5V,
Erase in Progress
I PPS
I PP1
V PP Standby Current
V PP Read Current
± 10
200
200
μ A
μ A
μ A
V PP < V CC
V PP > V CC
V PP = V PPH
I PP2
(1)
V PP Programming Current
30
mA
V PP = V PPH ,
Programming in Progress
I PP3(1)
V PP Erase Current
30
mA
V PP = V PPH ,
Erase in Progress
V IL
Input Low Level
–0.5
0.8
V
V OL
Output Low Level
0.45
V
I OL = 5.8mA, V CC = 4.5V
V IH
Input High Level
2.0
V CC +0.5
V
V OH
Output High Level
2.4
V
I OH = 2.5mA, V CC = 4.5V
V ID
I ID
I CCD
I CCES
I PPES
A 9 Signature Voltage
A 9 Signature Current
V CC Deep Powerdown Current
V CC Erase Suspend Current
V PP Erase Suspend Current
11.5
13.0
500
1.0
10
300
V
μ A
μ A
mA
μ A
A 9 = V ID
A 9 = V ID
RP = GND ± 0.2V
Erase Suspended CE = V IH
Erase Suspended V PP =V PPH
Note:
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
Doc. No. MD-1078, Rev. K
4
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Characteristics subject to change without notice
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参数描述 |
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| CAT28F001H-12B | 功能描述:闪存 (128x8) 1M 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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