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参数资料
| 型号： | CAT28F010T-90 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PDSO32 |
| 封装： | 8 X 20 MM, TSOP-32 |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | CAT28F010T-90 |
CAT28F010
10
Doc. No. MD-1019, Rev. F
2008 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
40H;
START ERASURE
APPLY VPPH
INITIALIZE
ADDRESS
INITIALIZE
PLSCNT = 0
WRITE ERASE
SETUP COMMAND
WRITE ERASE
COMMAND
TIME OUT 10ms
WRITE ERASE
VERIFY COMMAND
TIME OUT 6 s
READ DATA
FROM DEVICE
DATA =
FFH?
LAST
ADDRESS?
WRITE READ
COMMAND
APPLY VPPL
ERASURE
COMPLETED
APPLY VPPL
ERASE
ERROR
INCREMENT
ADDRESS
INC PLSCNT
= 3000 ?
NO
YES
PROGRAM ALL
BYTES TO 00H
STANDBY
VPP RAMPS TO VPPH
(OR VPP HARDWIRED)
BUS
OPERATION COMMAND
COMMENTS
READ
STANDBY
WRITE
STANDBY
ERASE
VERIFY
READ
INITIALIZE ADDRESS
ALL BYTES SHALL BE
PROGRAMMED TO 00
BEFORE AN ERASE
OPERATION
PLSCNT = PULSE COUNT
ACTUAL ERASE
NEEDS 10ms PULSE,
DATA = 20H
WAIT
ADDRESS = BYTE TO VERIFY
DATA = 20H;
STOPS ERASE OPERATION
READ BYTE TO
VERIFY ERASURE
DATA = 00H
RESETS THE REGISTER
FOR READ OPERATION
VPP RAMPS TO VPPL
(OR VPP HARDWIRED)
WRITE
ERASE
WAIT
COMPARE OUTPUT TO FF
INCREMENT PULSE COUNT
DATA = 20H
A0H
1000
Figure 5. Chip Erase Algorithm(1)
5108 FHD F10
Note:
(1) The algorithm MUST BE FOLLOWED to ensure proper and reliable operation of the device.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CAT28F102NA-12T | 64K X 16 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC44 |
| CAT28LV64H-25TE13 | 8K X 8 EEPROM 3V, 250 ns, PDSO32 |
| CAT28LV64JI-35TE13 | 8K X 8 EEPROM 3V, 350 ns, PDSO28 |
| CAT28LV64T-30TE13 | 8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PDSO32 |
| CAT28LV64JA-25T | 8K X 8 EEPROM 3V, 250 ns, PDSO28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| CAT28F010TI90 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Flash Parallel 5V 1Mbit 128K x 8bit 90ns 32-Pin TSOP |
| CAT28F010TI-90 | 功能描述:闪存 (128x8) 1M RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F010TR-12 | 功能描述:闪存 (128x8) 1M RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| CAT28F010TR-90 | 功能描述:闪存 (128x8) 1M RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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