- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20044 > CAT28LV64H13I20 (ON Semiconductor)IC EEPROM 64KBIT 200NS 28TSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | CAT28LV64H13I20 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 64KBIT 200NS 28TSOP |
| 产品变化通告： | Catalyst Group Product Obsolescence 26/Apr/2010 |
| 标准包装： | 234 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 200ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-TSOP（8x13.4） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 28LV64H13I-20 CAT28LV64H13I-20 CAT28LV64H13I-20-ND |
CAT28LV64
V CC ? 0.3 V
0.0 V
INPUT PULSE LEVELS
2.0 V
0.6 V
REFERENCE POINTS
Figure 2. A.C. Testing Input/Output Waveform (Note 9)
9. Input rise and fall times (10% and 90%) < 10 ns.
V CC
1.8 K
DEVICE
UNDER
TEST
1. 3 K
OUTPUT
C L = 100 pF
C L INCLUDES JIG CAPACITANCE
Figure 3. A.C. Testing Load Circuit (example)
Table 7. A.C. CHARACTERISTICS, WRITE CYCLE (V CC = 3.0 V to 3.6 V, unless otherwise specified.)
28LV64 ? 15
28LV64 ? 20
28LV64 ? 25
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
t WC
t AS
t AH
t CS
t CH
t CW (Note 10)
t OES
t OEH
t WP (Note 10)
t DS
t DH
Write Cycle Time
Address Setup Time
Address Hold Time
CE Setup Time
CE Hold Time
CE Pulse Time
OE Setup Time
OE Hold Time
WE Pulse Width
Data Setup Time
Data Hold Time
0
100
0
0
110
0
0
110
60
0
5
0
100
0
0
150
10
10
150
100
0
5
0
100
0
0
150
10
10
150
100
0
5
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t INIT (Note 11)
t BLC
(Notes 11, 12)
Write Inhibit Period After
Power ? up
Byte Load Cycle Time
5
0.05
10
100
5
0.1
10
100
5
0.1
10
100
ms
m s
10. A write pulse of less than 20 ns duration will not initiate a write cycle.
11. This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
12. A timer of duration t BLC max. begins with every LOW to HIGH transition of WE. If allowed to time out, a page or byte write will begin; however
a transition from HIGH to LOW within t BLC max. stops the timer.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACM25DTAS | CONN EDGECARD 50POS R/A .156 SLD |
| W25X40BVSNIG | IC SPI FLASH 4MBIT 8SOIC |
| AMC18DRTS-S93 | CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD |
| T86D476M016EAAL | CAP TANT 47UF 16V 20% 2917 |
| AMC18DRES-S93 | CONN EDGECARD 36POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CAT28LV64H13I20T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K-Bit CMOS PARA 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28LV64H13I-25 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 (8kx8) 64k 3V 250ns RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28LV64H13I-25T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K-Bit CMOS PARA 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28LV64J-20 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 (8kx8) 64K 3V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28LV64J-25 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 (8kx8) 64K 3V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。