参数资料
型号: CD74HCT21M96G4
厂商: Texas Instruments
文件页数: 10/14页
文件大小: 0K
描述: IC DUAL 4-IN AND GATE 14 SOIC
标准包装: 2,500
系列: 74HCT
逻辑类型: 与门
电路数: 2
输入数: 4
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
电流 - 静态(最大值): 2µA
输出电流高,低: 4mA,4mA
逻辑电平 - 低: 0.8V
逻辑电平 - 高: 2V
额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟: 27ns @ 4.5V,50pF
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
供应商设备封装: 14-SOIC
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
包装: 带卷 (TR)
5
Transition Times (Figure 1)
tTLH, tTHL CL = 50pF
2
-
75
-
95
-
110
ns
4.5
-
15
-
19
-
22
ns
6
-
13
-
16
-
19
ns
Input Capacitance
CI
-
10
-
10
-
10
pF
Power Dissipation Capacitance
(Notes 3, 4)
CPD
-
5
-
36
-
----
pF
HCT TYPES
Propagation Delay, Input to
Output (Figure 2)
tRHL, tPHL CL = 50pF
4.5
-
27
-
34
-
41
ns
Propagation Delay, Data Input to
Output Y
tPLH, tPHL CL = 15pF
5
-
11
-
----
ns
Transition Times (Figure 2)
tTLH, tTHL CL = 50pF
4.5
-
15
-
19
-
22
ns
Input Capacitance
CI
-
10
-
10
-
10
pF
Power Dissipation Capacitance
(Notes 3, 4)
CPD
-
5
-
42
-
----
pF
NOTES:
3. CPD is used to determine the dynamic power consumption, per gate.
4. PD = VCC
2 f
i (CPD + CL) where fi = input frequency, CL = output load capacitance, VCC = supply voltage.
Switching Specications Input tr, tf = 6ns (Continued)
PARAMETER
SYMBOL
TEST
CONDITIONS
VCC
(V)
25oC
-40oC TO 85oC
-55oC TO 125oC
UNITS
MIN
TYP
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 1. HC AND HCU TRANSITION TIMES AND PROPAGA-
TION DELAY TIMES, COMBINATION LOGIC
FIGURE 2. HCT TRANSITION TIMES AND PROPAGATION
DELAY TIMES, COMBINATION LOGIC
tPHL
tPLH
tTHL
tTLH
90%
50%
10%
50%
10%
INVERTING
OUTPUT
INPUT
GND
VCC
tr = 6ns
tf = 6ns
90%
tPHL
tPLH
tTHL
tTLH
2.7V
1.3V
0.3V
1.3V
10%
INVERTING
OUTPUT
INPUT
GND
3V
tr = 6ns
tf = 6ns
90%
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CD74HCT21MG4 功能描述:逻辑门 Hi Spd CMOS Log Dual 4-Input AND RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量(输入/输出):2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel
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