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参数资料
| 型号： | CDBA1100-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 102K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 1A 100V DO-214AC |
| 产品培训模块： | Flat Chip Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 850mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | DO-214AC（SMA） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1572 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 641-1091-6 |
      SMD Schottky Barrier Rectifiers Reverse V oltage: 20 to 100 Volts Forward Current: 1.0 Amp RoHS Device Page 1 REV:C Features -Ideal for surface mount applications. -Easy pick and place. -Plastic package has Underwriters Lab. flammability classification 94V-0. -Built-in strain relief. -Low forward voltage drop. Mechanical data -Case: JEDEC DO-214AC, molded plastic. -T erminals: solderable per MIL-STD-750, method 2026. -Polarity: Color band denotes cathode end. -Approx. weight: 0.064 grams CDBA120-G Thru. CDBA1100-G Maximum Ratings and Electrical Characteristics Dimensions in inches and (millimeter) DO-214AC (SMA) QW-BB003 CDBA 120-G Notes: Comchip Technology CO., LTD. 0.110(2.79) 0.100(2.54) 0.065(1.65) 0.049(1.25) 0.208(5.28) 0.193(4.90) 0.012(0.305) 0.006(0.152) 0.005(0.127) max. 0.060(1.52) 0.030(0.76) 0.090(2.29) 0.078(1.98) 0.177(4.50) 0.157(3.99) Max. repetitive peak reverse voltage Max. DC blocking voltage Max. RMS voltage Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rate load (JEDEC Method) Max. instantaneous forward voltage at 1.0A(Note 1) Max. instantaneous reverse current TA=25 OC Max. thermal resistance (Note 2) Operating and storage temperature Range Storage temperature range CDBA 140-G CDBA 160-G CDBA 180-G CDBA 1100-G Units Symbol Parameter VRRM VDC VRMS IFSM I(AV) VF IR RθJA RθJL TJ TSTG 20 20 14 40 40 28 60 60 42 30 1.0 0.75 0.5 10 88 28 -65 to +150 -65 to +150 80 80 56 100 100 70 V V V A A V mA O C/W OC OC 0.55 0.85 -65 to +125 2 . Pulse test: 300μs width,1% duty cycle. 1. P.C.B. Mounted with 0. 2×0.2 inc h (5.0*5.0mm) co pper pad . (Note 1) =125 OC TA at rated DC blocking voltage Max. average forward rectified current 0.375” (9.5mm) lead length(see fig.1) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-J3J-CX-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDBA1100GS | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Schottky Barrier Rectifier |
| CDBA1100-HF | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Schottky Barrier Rectifiers |
| CDBA1100LR-HF | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Low VF Low IR SMD Schottky Barrier Rectifiers |
| CDBA1150-G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 150V, 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBA1150-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 150V, 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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