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参数资料
| 型号： | CDBD20150-HF |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 100K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 150V 20A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Parameter
Symbol
CDBD
CDBD
2020-HF
2030-HF
CDBD
20200-HF
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Continuous reverse voltage
RMS voltage
Maximum forward voltage
I
F=10.0A
Maxium Forward surge current, 8.3ms
singlehalf sine-wave superimposed on
rate load (JEDEC method)
current
MaximumReverse
VR=VRRM TA=25°C
VR=VRRM
TA=100°C
Page 1
QW-JB014
Chip Schottky Barrier Rectifier
REV:A
Comchip Technology CO., LTD.
VRRM
VR
VRMS
IO
VF
IFSM
IR
RθJc
TJ
20
20
14
40
40
28
60
60
42
20.0
0.75
150
0.5
50
2.0
80
80
56
150
150
105
V
V
V
A
V
A
mA
°C/W
°C
0.55
1.00
Operating temperature
Storage temperature
TSTG
-65 to +175
°C
-55 to +125
-55 to +150
Features
-Batch
process
design, excellent
power
dissipation
offers
better
reverse
leakage current
and
thermal
resistance.
-Low
profile
surface
mounted
application
in
order
to
optimize
board
space.
-Low
power
loss, high
efficiency.
-High
current
capability, low
forward
voltage
drop.
-High
surge
capability.
-Guardring
for
overvoltage
protection.
-Ultra
high-speed
switching.
-Silicon
epitaxial
planar
chip, metal
silicon
junction.
-Lead-free
parts
meet
environmental
standards
of
MIL-STD-19500 /228
Dimensions
in
inches
and
(
millimeters)
D2PAK
Reverse V
oltage: 20 to 200 Volts
Forward Current: 20.0
Amp
RoHS Device
CDBD2020-HF Thru. CDBD20200-HF
Mechanical data
2040-HF
2045-HF
CDBD
2050-HF
2060-HF
2080-HF
20100-HF
CDBD
CDBD
CDBD
20150-HF
CDBD
50
50
35
J
unction
t
o
C
ase
0.402(10.20)
0.386(9.80)
0.192(4.8)
0.176(4.4)
0.370(9.40)
0.354(9.00)
0.205(5.20)
0.189(4.80)
0.063(1.60)
0.055(1.40)
0.024(0.60)
0.016(0.40)
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.185(4.70)
0.169(4.30)
0.012(0.30)
0.004(0.10)
0.108(2.70)
0.092(2.30)
0.046(1.20)
0.032(0.80)
-Case: TO-263/D2PAK, molded plastic.
-Terminals: solderable per MIL-STD-750,
method 2026.
-Polarity: Indicated by cathode band.
-Weight:1.46 gram(approx.).
-Weunting Position: Any
30
30
21
100
100
70
CDBD
200
200
140
0.85
IR
mA
PIN
1
PIN
3
PIN
2
2
1
3
45
45
31.5
CDBD
Maximum Forward rectified current
(See fig. 1)
Typ.Thermal
resistance
Maximum Ratings
(At Ta=25°C, unless otherwise noted)
Halogen Free
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 396-056-522-201 | CARD EDGE 56POS DL .125X.250 BLK |
| CDBD20150-G | DIODE SCHOTTKY 150V 20A D2PAK |
| EBC22DCMN | CONN EDGECARD 44POS .100 WW |
| T95V475K016HSAL | CAP TANT 4.7UF 16V 10% 1410 |
| 396-056-521-804 | CARD EDGE 56POS DL .125X.250 BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDBD20200-G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=200V IO=20A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBD20200-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=200V IO=20A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBD2020-G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=20V IO=20A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBD2020-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=20V IO=20A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBD2030-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Chip Schottky Barrier Rectifier |
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