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参数资料
| 型号： | CDBER42 |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 120K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY SS 200MA 30V 0503 |
| 产品培训模块： | Flat Chip Diodes |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 5ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500nA @ 25V |
| 电容@ Vr, F： | 10pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 0503（1308 公制） |
| 供应商设备封装： | 0503（1308 公制） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
       Symbol Min Typ Max Unit Parameter Conditions Forward voltage CDBER42/43 CDBER42 CDBER43 CDBER42 CDBER43 IF = 1 0mA IF = 2 00mA IF = 5 0mA IF = 2 mA IF = 1 5mA VF V 0.4 1 0.65 0.33 0.45 Reverse current Capacitance between terminals Reverse recovery time VR = 2 5V f = 1 MHz, and 1 VDC reverse voltage IF=IR=10mA,Irr=0.1xIR,RL=100 ohm IR CT Trr uA pF nS 5 10 0.5 CDBER42/43 QW-A1091 5 O C unless otherwise noted) Maximum Rating (at TA=2 5 O C unless otherwise noted) Electrical Characteristics (at TA=2 Page 1 n Typ Max Unit IO IFSM VR(RMS) VR VRM IFRM Repetitive peak forward current Average forward rectified current Reverse voltage Peak reverse voltage Forward current,surge peak Symbol Mi Parameter Conditions RMS reverse voltage 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rate load(JEDEC method) A A mA V V V 4 0.5 200 21 30 30 TSTG Tj Storage temperature Junction temperature O C O C +125 +125 -55 PD Power dissipation Thermal resistance junction to ambient air mW O C/W 150 667 R JA REV:B 0.053(1.35) 0.045(1.15) 0.034(0.85) 0.026(0.65) 0.030(0.75) 0.024(0.60) Dimensions in inches and (millimeter) 0.022(0.55) Typ. 0.016(0.40) Typ. Comchip Technology CO., LTD. SMD Schottky Barrier Diode 0503/SOD-723F Features - Low forward voltage. - Designed for mounting on small surface. - Extremely thin/leadless package. - Majority carrier conduction. Mechanical data - Case: 0503/SOD-723F standard package, m olded plastic. - Terminals: Gold plated, solderable per M IL-STD-750,method 2026. - Polarity: Indicated by cathode band. - Mounting position: Any - Weight: 0.002 gram(approx.). Io = 2 00 mA VR = 3 0 Volts RoHS Device |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GBM10DRAH | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| GCM06DTAN-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| GCM06DTAH-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| GCM06DTAD-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| GCM08DCCN-S189 | CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDBER42-43 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Schottky Barrier Diode |
| CDBER42-43-HF | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Schottky Barrier Diode |
| CDBER42-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=30V, IO=200mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBER43 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DFN 200mA 30V Sm. Sgnl. Schottky RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBER43-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=30V, IO=200mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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