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参数资料
| 型号： | CDBER54-HF |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 118K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0503 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 5ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电容@ Vr, F： | 10pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-723F（0503，1308 公制） |
| 供应商设备封装： | 0503（1308 公制） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
       CDBER54-HF SMD Schottky Barrier Diode Page 1 QW-G1016 REV:B 5 O C unless otherwise noted) Electrical Characteristics (at TA=2 Symbol Min Typ Max Unit Parameter Conditions Forward voltage IF = 1 mA IF = 0 .1mA IF = 1 0mA IF = 3 0mA IF = 1 00mA VF V 0.32 0.24 0.4 0.5 1 Reverse current IR uA VR = 2 5V Capacitance between terminals Reverse recovery time f = 1 MHz, and 1 VDC reverse voltage IF=IR=10mA,Irr=0.1xIR,RL=100 Ohm CT Trr pF nS 5 10 2 5 O C unless otherwise noted) Maximum Rating (at TA=2 n Typ Max Unit IO IFSM VR(RMS) VR VRM IFRM Repetitive peak forward current Average forward rectified current Reverse voltage Peak reverse voltage Forward current,surge peak Symbol Mi Parameter Conditions RMS reverse voltage 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rate load(JEDEC method) A A mA V V V 0.6 0.3 200 21 30 30 PD Power dissipation mW 150 O C +125 TSTG Tj Storage temperature Junction temperature O C +125 -65 0.053(1.35) 0.045(1.15) 0.034(0.85) 0.026(0.65) 0.030(0.75) 0.024(0.60) Dimensions in inches and (millimeter) 0.022(0.55) Typ. 0.016(0.40) Typ. Comchip Technology CO., LTD. 0503/SOD-723F Features - Low forward voltage. - Designed for mounting on small surface. - Extremely thin/leadless package. - Majority carrier conduction. Mechanical data - Case: 0503/SOD-723F standard package, m olded plastic. - Terminals: Gold plated, solderable per M IL-STD-750,method 2026. - Marking code: cathode band & BF - Mounting position: Any - Weight: 0.002 gram(approx.). Io = 2 00 mA VR = 3 0 Volts RoHS Device Halogen Free |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDBER54 | DIODE SCHOTTKY SS 200MA 30V 0503 |
| CDBER70-HF | DIODE SCHOTTKY 70V 70MA 0503 |
| CDBER70 | DIODE SCHOTTKY SS 70MA 70V 0503 |
| CDBF00340-HF | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 1005 |
| CDBF00340 | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 1005 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDBER70 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DFN 70mA 70V Sm. Sgnl. Schottky RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBER70-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=70V, IO=70mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBERT0230R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Low Leak Low Profile DFN 200mA 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBF001A | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Schottky Barrier Diode |
| CDBF00340 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30mA,40V Sm. Sgnl. Schottky RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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