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参数资料
| 型号： | CDBFN160-HF |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 90K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 1.0A SOD323 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 700mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 60V |
| 电容@ Vr, F： | 120pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
        Ratings and Characteristic Curves(CDBFN120-HF Thru CDBFN1100-HF) Page 2 QW-JB001 Comchip Technology CO., LTD. Fig.2 Typical Forward Characteristics 0.01 I F , I n s t a n t a n e o u s F o r w a r d C u r r e n t ( A ) VF, Forward Voltage (V) 0.1 Fig.1 Typical Forward Current Derating Curve I O , A v e r a g e d F o r w a r d C u r r e n t ( A ) TA, Ambient Temperature ( O C) 0 100 Fig.3 Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current Number of Cycles at 60Hz 0 1.0 1.5 100 1.3 150 50 200 0.5 0 I F S M , P e a k F o r w a r d S u r g e C u r r e n t ( A ) 30 1 100 18 10 6 0.3 0.5 0.7 1.3 0.9 1.1 0.1 1 10 =25 OC TJ Pulse width 300μs 1% duty cycle -160 HF FNDB ~HF-C N110 0-HF 12 24 =25 OC TJ 8.3ms single half sine wave, JEDEC method Fig.4 Typical Junction Capacitance VR, Reverse Voltage (V) 0 C J , J u n c t i o n C a p a c i t a n c e ( p F ) 350 0.01 100 200 1 50 150 300 0.1 10 100 250 Fig.5 Typical Reverse Characteristics Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%) 0.01 I R , R e v e r s e C u r r e n t ( m A ) 100 0 140 60 0.1 1 10 20 40 120 80 100 =25 OC TJ =75 OC TJ SMD Schottky Barrier Rectifiers 5N1 0- BFCD C D B F N 1 2 0 -H F ~ C D B F N 1 4 0 -H F -140 HF FNDB ~H 2N1 0- F C BFCD FDB ~H 8N1 0- F C BFCD C D B F N 1 5 0 -H F ~ C D B F N 1 1 0 0 -H F REV:B |
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| CDBFR00340-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR:40V,IO:30mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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