参数资料
型号: CDBK0520-HF
厂商: Comchip Technology
文件页数: 1/4页
文件大小: 118K
描述: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123F
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 20V
电流 - 平均整流 (Io): 500mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 470mV @ 500mA
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 20V
电容@ Vr, F: 100pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123F
供应商设备封装: SOD-123F
包装: 带卷 (TR)
+125
O
C
TSTG
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Parameter
Conditions
Forward voltage
IF
= 5
00mA
IF
= 1
00mA
VF
V
0.47
0.36
Reverse current
Capacitance between terminals
VR
= 2
0V
f = 1 MHz, and 0 VDC reverse voltage
IR
CT
uA
pF
100
100
CDBK0520-HF
SMD Schottky Barrier Diode
QW-G1084
Features
-
Low forward voltage.
-
Designed for mounting on small surface.
-
Extremely thin / leadless package.
-
Majority carrier conduction.
Mechanical data
-
Case: SOD-123F standard package,
m
olded plastic.
-
Terminals: Gold plated, solderable per
M
IL-STD-750,method 2026.
-
Marking code: cathode band & BL
-
Mounting position: Any
-
Weight: 0.011 gram(approx.).
5
O
C unless otherwise noted)
Maximum Rating (at TA=2
5
O
C unless otherwise noted)
Electrical Characteristics (at TA=2
Page 1
n
Typ
Max
Unit
IO
VR
VRM
Average forward rectified current
Reverse voltage
Peak reverse voltage
Forward current,surge peak
Symbol
Mi
Parameter
Conditions
V
V
A
0.5
20
30
Tj
Storage temperature
Junction temperature
O
C
+125
-40
IFSM
8.3 ms single half sine-wave superimposed
on rate load (JEDEC method)
2
A
REV:B
0.144(3.65)
0.136(3.45)
0.024(0.60)
Typ.
0.069(1.75)
0.061(1.55)
0.035(0.90)
0.027(0.70)
Dimensions
in
inches
and
(millimeter)
SOD-123F
0.012
(0.30)
Typ.
0.057(1.45)
Typ.
Comchip Technology CO., LTD.
Io
= 500 mA
VR
= 20 V
olts
RoHS Device
Halogen free
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PDF描述
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参数描述
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