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参数资料
型号： CDBM140LR-G
厂商： Comchip Technology
文件页数： 2/4页
文件大小： 89K
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1.0A SOD123F
标准包装： 2,500
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 40V
电流 - 平均整流 (Io)： 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 450mV @ 1A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 200µA @ 30V
电容@ Vr, F： 200pF @ 4V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-123T
供应商设备封装： 迷你型 SMA/SOD-123
包装： 带卷 (TR)
QW-BL010
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (CDBM140LR-G)
Comchip Technology CO., LTD.
Page 2
REV:A
Low
VF
Low
IRSMD
Schottky
Barrier
Rectifiers
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
120
80
0.01
0
Fig.4 - Typical Reverse Characteristics
0.1
1
10
100
A
v
e
r
a
g
e
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
Forward Voltage (V)
0
Fig.2 - Typical Forward Characteristics
0.01
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
0.1
1
10
100
0.8
Reverse Voltage (V)
0.01
Fig.5 - Typical Junction Capacitance
0
J
u
n
c
t
i
o
n
C
a
p
a
c
i
t
a
n
c
e
,
(
p
F
)
100
300
600
700
0.1
1
10
100
Ambient Temperature (°C)
0
0.8
1.4
0.4
1.2
2.0
1.6
200
400
500
0
25
175
0.4
1.0
200
0.6
40
160
1.2
TJ=75°C
TJ=25°C
Tj=25°C
Number of Cycles at 60Hz
Fig.3 - Non-repetitive Forward
Surge Current
0
1
30
60
10
100
10
40
20
P
a
F
r
a
d
u
g
C
u
r
e
t
,
)
e
k
o
w
r
S
r
e
r
n
(
A
50
TJ=25°C
8.3ms single half sine
wave, JEDEC method
50
75
100
125
150
0.2
Pulse width 300us
1% duty cycle
A
v
e
r
a
g
e
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
Fig.1 - Typical Forward Current
Derating Curve
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