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参数资料
型号： CDBMH340-G
厂商： Comchip Technology
文件页数： 1/4页
文件大小： 94K
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 3.0A SOD123T
标准包装： 2,500
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 40V
电流 - 平均整流 (Io)： 3A（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 500mV @ 3A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 200µA @ 40V
电容@ Vr, F： 250pF @ 4V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-123T
供应商设备封装： SOD-123T
包装： 带卷 (TR)
Reverse V
oltage: 20 to 100 Volts
Forward Current: 3.0
Amp
RoHS Device
Dimensions
in
inches
and
(millimeter)
CDBMH320-G Thru. CDBMH3100-G
Page 1
QW-BB034
SMD Schottky Barrier Rectifiers
REV:B
Comchip Technology CO., LTD.
SOD-123T
0.154(3.90)
0.138(3.50)
0.012(0.30) Typ.
0.071(1.80)
0.055(1.40)
0.067(1.70)
0.051(1.30)
0.040(0.10)
0.096(2.40)
0.080(2.00)
0.024(0.60)
0.008(0.20) Typ.
0.036(0.90)
0.064(1.60)
0.048(1.20)
0.020(0.50)
0.0375(0.95)
0.0296(0.75)
0.052(1.30)
0.036(0.90)
0.024(0.60) Typ.
Maximum Ratings
(at TA=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Continuous reverse voltage
RMS voltage
Max. Forward rectified current
Maximum forward voltage at IF=3.0A
Max. Forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated
load (JEDEC method)
V
R=VRRM
TJ=25°C
Max.Reverse current
V
R=VRRM
TJ=100°C
Typ. Thermal resistance
Typ. Diode Junction capacitance (Note 1)
VRRM
VR
VRMS
IO
VF
IFSM
IR
RθJC
CJ
TJ
CDBMH
CDBMH
320-G
CDBMH
CDBMH
340-G
CDBMH
CDBMH
CDBMH
360-G
380-G
3100-G
20
20
14
40
40
28
60
60
42
3.0
0.70
80
0.2
20
30
80
80
56
100
100
70
V
V
V
A
V
A
mA
°C/W
°C
0.50
0.85
Note :
1. F=1MHz and applied 4V DC reverse voltage
Operating temperature
Storage temperature range
TSTG
-65 to +175
°C
-55 to +125
-55 to +150
250
PF
330-G
30
30
21
350-G
50
50
35
IR
Mechanical data
-Case: Molded plastic, SOD-123T/Mini SMA.
-T
erminals: Solderable per MIL-STD-750,
method 2026.
-Polarity: Indicated by cathode band.
-W
eight: 0.018 grams approx.
Features
-Batch
process
design, excellent
power
dissipation
offers
better
reverse
leakage current
and
thermal
resistance.
-Low
profile
surface
mounted
application in order to
optimize
board
space.
-Low
power
loss, high
efficiency.
-High
current
capability, low
forward
voltage
drop.
-High
surge
capability.
-Guardring
for
overvoltage
protection.
-Ultra
high-speed
switching.
-Silicon
epitaxial
planar
chip, metal
silicon
junction.
-Lead-free part meets environmental standards of
MIL-STD-19500/228.
-Heat sink bottom.
0.044(1.10)
0.028(0.70)
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PDF描述
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参数描述
CDBMH340-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky 3A 40V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMH350-G 功能描述:肖特基二极管与整流器 IO=3A VR=50 Low profile SMD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMH350-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 IO=3A VR=50 SMD SCHOTTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMH360-G 功能描述:肖特基二极管与整流器 IO=3A VR=60 Low profile SMD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMH360-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky 3A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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