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参数资料
| 型号： | CDBMT1100-HF |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 159K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD-123H |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 850mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 100V |
| 电容@ Vr, F： | 120pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123H |
| 供应商设备封装： | SOD-123H |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 641-1441-6 |
      =25 O C unless otherwise noted) Maximum Ratings (at T A Parameter Symbol CDBMT 120-HF Unit Repetitive peak reverse voltage Continuous reverse voltage RMS voltage Forward rectified current Maximum forward voltage @ IF=1.0A Max. Forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) V R=VRRM TJ=25°C Max.Reverse current V R=VRRM TJ=100°C Typ. Thermal resistance Typ. Diode Junction capacitance (Note 1) Reverse V oltage: 20 to 150 Volts Forward Current: 1.0 Amp RoHS Device Halogen Free Dimensions in inches and (millimeter) CDBMT120-HF Thru. CDBMT1150-HF Page 1 QW-JB025 Low Profile SMD Schottky Barrier Rectifiers REV: A Comchip Technology CO., LTD. SOD-123H 0.146(3.7) 0.130(3.3) 0.012(0.3) Typ. 0.071(1.8) 0.055(1.4) 0.040(1.0) 0.024(0.6) 0.031(0.8) Typ. VRRM VR VRMS IO VF IFSM IR RθJA CJ TJ CDBMT 140-HF CDBMT 160-HF CDBMT 180-HF CDBMT 1100-HF 1150-HF 20 20 14 40 40 28 60 60 42 1.0 0.70 25 0.5 10 98 80 80 56 100 100 70 V V V A V A mA O C/W OC 0.50 0.85 Note : 1. F=1MHz and applied 4V DC reverse voltage Features -Low power loss,high ef ficiency. -High current capability,low forward voltage drop. -High surge capability . -Guarding for overvoltage protection. -Ultra high-speed switching. Operating temperature Storage temperature range TSTG -65 to +175 OC -55 to +125 -55 to +150 120 PF CDBMT 130-HF 30 30 21 CDBMT 150-HF 50 50 35 SMD Diodes Specialist 0.031(0.8) Typ. CDBMT 150 150 105 0.92 (Junction to ambient) -Excellent power dissipation of fers better reverse leakage current and thermal resistance. -Low profile package is 40% thinner than standards SOD-123. -Silicon epitaxial planar chip,metal silicon junction. -Lead-free part meets environmental standards of MIL-STD-19500/228 Mechanical data -Case: Molded plastic, SOD-123H/MINI SMA -T erminals: Solderable per MIL-STD-750, method 2026. -Polarity: Indicated by cathode band. -W eight: 0.011 grams approx. -Mounting Position: any -Epoxy: UL94-V0 rated flame retardant. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1314E+ | IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP |
| ISL80103IRAJZ-T | IC REG LDO ADJ 3A 10DFN |
| R2D12-2409/H-R | CONV DC/DC 2W +/-9VOUT SMD |
| DS1314E | IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP |
| R2D12-2412/H-R | CONV DC/DC 2W +/-12VOUT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDBMT1150-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky 1A 150V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBMT120-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=20V IO=1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBMT120-HF_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Low Profile SMD Schottky Barrier Rectifiers |
| CDBMT120-HF_1209 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Low Profile SMD Schottky Barrier Rectifiers |
| CDBMT130-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=30V IO=1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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