参数资料
型号: CDBMT230L-HF
厂商: Comchip Technology
文件页数: 1/4页
文件大小: 88K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 2.0A SOT123H
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 2A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 400mV @ 2A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1mA @ 30V
电容@ Vr, F: 160pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123H
供应商设备封装: SOD-123H
包装: 带卷 (TR)
Low
VF
SMD
Schottky
Barrier
Rectifiers
Reverse V
oltage: 20 to 40 Volts
Forward Current: 2.0
Amp
RoHS Device
Page 1
REV:A
CDBMT220L-HF Thru. CDBMT240L-HF
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Dimensions
in
inches
and
(millimeter)
QW-JL010
Comchip Technology CO., LTD.
Max. Repetitive Peak Reverse Voltage
Continuous Reverse Voltage
Max. RMS Voltage
Max. Forward Surge Current
8.3mssingle half sine-wave superimposed
on rate load (JEDEC method)
Max. Forward Rectified Current ( fig.2)
Max. Forward Voltage @IF=2.0A
Max. Reverse Current at TA=25°C
Storage Temperature
Operating Temperature
CDBMT220L-HF
Units
Symbol
Parameter
VRRM
VR
VRMS
IFSM
IO
VF
IR
RθJA
CJ
TSTG
TJ
20
20
14
0.38
V
V
V
A
A
V
mA
°C/W
pF
°C
°C
CDBMT240L-HF
40
40
28
0.40
40
2.0
1.0
70
160
-65 to +175
-55 to +100
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012(0.3) Typ.
0.075(1.9)
0.060(1.5)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031(0.8) Typ.
0.031(0.8) Typ.
CDBMT230L-HF
30
30
21
0.40
Typ. Diode Junction Capacitance
f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage
Typ. Thermal Resistance
Junction to
Ambient
Features
-Low power loss,high ef
ficiency.
-High current capability,low forward voltage drop.
-High surge capability
.
-Guarding for overvoltage protection.
-Ultra high-speed switching.
-Excellent power dissipation of
fers better reverse
leakage current and thermal resistance.
-Low profile package is 40% thinner than standards
SOD-123.
-Silicon epitaxial planar chip,metal silicon junction.
-Lead-free part meets environmental standards of
MIL-STD-19500/228
Mechanical data
-Case: Molded plastic, SOD-123H/MINI SMA
-T
erminals: Solderable per MIL-STD-750, method 2026.
-Polarity: Indicated by cathode band.
-W
eight: 0.011 grams approx.
-Mounting Position: any
-Epoxy: UL94-V0 rated flame retardant.
Halogen Free
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PDF描述
CDBMT230L-G DIODE SCHOTTKY 30V 2.0A SOT123
CW100505-3N3J INDUCTOR 3.3NH 0402 SMD
T95S685M004CZSL CAP TANT 6.8UF 4V 20% 1507
T95S685K6R3CZSL CAP TANT 6.8UF 6.3V 10% 1507
MCP1406T-E/SN IC MOSFET DRIVER 6A HS 8SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
CDBMT240-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky 2A 40V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMT240L-G 功能描述:肖特基二极管与整流器 40V, 2A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMT240L-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=40V, IO=2A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMT250-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=50V IO=2A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
CDBMT260-HF 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky 2A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel