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参数资料
| 型号： | CDBQR40 |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 118K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 200MA 40V 0402 |
| 产品培训模块： | Flat Chip Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 40mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 5ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200nA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 0402（1005 公制） |
| 供应商设备封装： | 402 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1571 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 641-1277-6 |
       CDBQR40 QW-A1124 Page 1 REV:B 5 O C unless otherwise noted) Maximum Rating (at TA=2 n Typ Max Unit IO VR(RMS) VR VRM Average forward rectified current Reverse voltage Peak reverse voltage Symbol Mi Parameter Conditions RMS reverse voltage mA V V V 200 28 40 40 IFSM Forward current,surge peak 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rate load(JEDEC method) A 0.6 PD Power dissipation mW 125 TSTG Tj Storage temperature Junction temperature O C O C +125 +125 -65 Symbol Min Typ Max Unit Parameter Conditions Forward voltage IF = 4 0mA IF = 1 mA VF V 1 0.38 5 O C unless otherwise noted) Electrical Characteristics (at TA=2 Reverse current Capacitance between terminals Reverse recovery time VR = 3 0V f = 1 MHz, and 0 VDC reverse voltage IF=IR=10mA,Irr=0.1xIR,RL=100 ohm IR CT Trr uA pF nS 5 5 0.2 Features - Low reverse current. - Designed for mounting on small surface. - Extremely thin/leadless package. - Majority carrier conduction. Mechanical data - Case: 0402/SOD-923F standard package, m olded plastic. - Terminals: Gold plated, solderable per M IL-STD-750,method 2026. - Marking Code: Cathode band & BC - Mounting position: Any - Weight: 0.001 gram(approx.). Comchip Technology CO., LTD. 0.041(1.05) 0.037(0.95) 0.026(0.65) 0.022(0.55) Dimensions in inches and (millimeter) 0.020(0.50) Typ. 0.022(0.55) 0.018(0.45) 0.012(0.30) Typ. SMD Schottky Barrier Diode 0402/SOD-923F Io = 2 00 mA VR = 4 0 Volts RoHS Device |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDBQR42-HF | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0402 |
| CDBQR42 | DIODE SCHOTTKY 200MA 30V 0402 |
| CDBQR43-HF | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0402 |
| CDBQR54-HF | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0402 |
| CDBQR54 | DIODE SCHOTTKY 200MA 30V 0402 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDBQR40-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=40V, IO=200mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBQR40-HF_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Schottky Barrier Rectifiers |
| CDBQR42 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 200mA 30V DFN Sm. Sgnl. Schottky RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBQR42_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Schottky Barrier Diode |
| CDBQR42-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=30V, IO=200mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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