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参数资料
| 型号： | CDBUR70 |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 118K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY SS 70MA 70V 0603 |
| 产品培训模块： | Flat Chip Diodes |
| 标准包装： | 4,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 70mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 15mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 5ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 0603（1608 公制） |
| 供应商设备封装： | 0603（1608 Metric） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
       CDBUR70 Page 1 QW-A1086 REV:B 5 O C unless otherwise noted) Electrical Characteristics (at TA=2 Symbol Min Typ Max Unit Parameter Conditions Forward voltage IF = 1 5mA IF = 1 mA VF V 1 0.41 Reverse current IR uA VR = 5 0V Capacitance between terminals Reverse recovery time f = 1 MHz, and 0 VDC reverse voltage IF=IR=10mA,Irr=0.1xIR,RL=100 Ohm CT Trr pF nS 5 2 0.1 5 O C unless otherwise noted) Maximum Rating (at TA=2 n Typ Max Unit IO VR(RMS) VR VRM Average forward rectified current Reverse voltage Peak reverse voltage Symbol Mi Parameter Conditions RMS reverse voltage mA V V V 70 49 70 70 IFSM Forward current,surge peak 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rate load(JEDEC method) A 0.1 PD Power dissipation mW 150 O C +125 TSTG Tj Storage temperature Junction temperature O C +125 -65 0.071(1.80) 0.063(1.60) 0.039(1.00) 0.031(0.80) 0.033(0.85) 0.027(0.70) Dimensions in inches and (millimeter) 0.028(0.70) Typ. 0.018(0.45) Typ. 0603/SOD-523F Features - Low forward voltage. - Designed for mounting on small surface. - Extremely thin / leadless package. - Majority carrier conduction. Mechanical data - Case: 0603/SOD-523F standard package, m olded plastic. - Terminals: Gold plated, solderable per M IL-STD-750,method 2026. - Polarity: Indicated by cathode band. - Marking code: BG - Mounting position: Any. - Weight: 0.003 gram(approx.). Io = 7 0 mA VR = 7 0 Volts RoHS Device SMD Schottky Barrier Diode Comchip Technology CO., LTD. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDBV140-G | DIODE SCHOTTKY 40V 1.0A SOD323 |
| CDBV3-40-G | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT323 |
| CDBV3-54-G | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323 |
| CDBV3-54-HF | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323 |
| CDBV3-70-G | DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDBUR70-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR:70V,IO:70mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBURT0130L | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBURT0130R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBURT0130R-HF | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| CDBURT0230L | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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