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参数资料
| 型号： | CDBV120-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 100K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 1.0A SOD323 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 450mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 20V |
| 电容@ Vr, F： | 120pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
       CDBV120-G Thru. CDBV140-G Forward current: 1.0A Reverse voltage: 20 to 40V RoHS Device QW-BB015 Page 1 REV:B Features -For use in low voltage, high frequency inverters. -Free wheeling, and polarity protection applications. Mechanical Data -Case: SOD-323, molded plastic. -T erminals: solderable per MIL-STD-750, method 2026. -Polarity: indicated by cathode end. Marking CDBV120-G: SJ CDBV130-G: SK CDBV140-G: SL Dimensions in inches and (millimeter) SOD-323 Parameter Unit Maximum Ratings (At Ta=25°C, unless otherwise noted) Non-repetitive peak reverse voltage Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC blocking voltage RMS reverse voltage Average rectified output current Peak forward surge current @8.3ms Repetitive peak forward current Power dissipation Thermal resistance, junction to ambient Storage temperature Symbol CDBV120-G 0.071 (1.80) 0.063 (1.60) 0.055 (1.40) 0.047 (1.20) 0.106 (2.70) 0.098 (2.50) 0.035 (0.90) 0.031 (0.80) 0.014 (0.35) 0.010 (0.25) 0.019 (0.475)REF 0.006 (0.150) 0.004 (0.10)max CDBV130-G CDBV140-G VRM VRRM VRWM VR VR(RMS) IO IFSM IFRM PD RθJA TSTG 20 20 14 30 30 21 1 9 1.5 250 500 -65 ~ +150 40 40 28 V V V A A A mW °C/W °C Parameter Unit Electrical Characteristics (At Ta=25°C, unless otherwise noted) Reverse breakdown voltage Reverse voltage leakage current CDBV140-G Forward voltage Diode capacitance Symbol Min. Max. 20 30 40 V mA V pF Conditions CDBV120-G CDBV130-G CDBV140-G CDBV120-G CDBV130-G CDBV140-G CDBV120-G CDBV130-G CDBV120-G CDBV130-G CDBV140-G VR=4V, f=1MHz VBR IR VF CD 1 0.45 0.55 0.60 0.75 0.875 0.90 120 IR=1mA VR=20V VR=30V VR=40V IF=1A IF=3A Comchip Technology CO., LTD. SMD Schottky Barrier Diodes 0.003 (0.080) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECC15DJBN-S1136 | CONN EDGECARD 30PS .100 PRESSFIT |
| HK16083N9S-T | INDUCTOR HI FREQ 3.9+/-0.3NH |
| HBC05DRTI | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
| CBC3225T101MR | INDUCTOR 100UH 20% 1210 SMD |
| PR1005G-T | DIODE FAST REC 1A 600V DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDBV120-G_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Schottky Barrier Diodes |
| CDBV130 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Surface Mount Schottky Barrier Rectifier |
| CDBV130-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Schottky Barrier Diodes |
| CDBV140 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Surface Mount Schottky Barrier Rectifier |
| CDBV140-G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 VR=40V IO=1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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