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参数资料
| 型号： | CDBW140-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 97K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 1.0A SOD-123 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 40V |
| 电容@ Vr, F： | 120pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 641-1458-2 CDBW140-G-ND |
       CDBW120-G Thru. CDBW140-G Forward current: 1.0A Reverse voltage: 20 to 40V RoHS Device QW-BB020 Page 1 REV:D Features -For use in low voltage, high frequency inverters. -Free wheeling, and polarity protection applications. Mechanical Data -Case: SOD-123, molded plastic. -T erminals: solderable per MIL-STD-750, method 2026. -Polarity: indicated by cathode end. -W eight: 0.0097 gram(approx.) . Marking CDBW120-G: SJ CDBW130-G: SK CDBW140-G: SL Dimensions in inches and (millimeter) SOD-123 Parameter Unit Maximum Ratings (At Ta=25°C, unless otherwise noted) Non-repetitive peak reverse voltage Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC blocking voltage RMS reverse voltage Average rectified output current Peak forward surge current @8.3ms Repetitive peak forward current Power dissipation Thermal resistance, junction to ambient Storage temperature Symbol CDBW120-G 0.110 (2.80) 0.102 (2.60) 0.067 (1.70) 0.059 (1.50) 0.152 (3.85) 0.140 (3.55) 0.049 (1.25) 0.041 (1.05) 0.026 (0.65) 0.018 (0.45) 0.02 (0.50)REF 0.006 (0.15)max 0.004 (0.10)max CDBW130-G CDBW140-G VRM VRRM VRWM VR VR(RMS) IO IFSM IFRM PD RθJA TSTG 20 20 14 30 30 21 1 25 625 250 500 -65 ~ +150 40 40 28 V V V A A mA mW °C/W °C Parameter Unit Electrical Characteristics (At Ta=25°C, unless otherwise noted) Reverse breakdown voltage Reverse voltage leakage current CDBW140-G Forward voltage Diode capacitance Symbol Min. Max. 20 30 40 V mA V pF Conditions CDBW120-G CDBW130-G CDBW140-G CDBW120-G CDBW130-G CDBW140-G CDBW120-G CDBW130-G CDBW120-G CDBW130-G CDBW140-G VR=4V, f=1MHz VBR IR VF CD 1 0.45 0.55 0.60 0.75 0.875 0.90 120 IR=1mA VR=20V VR=30V VR=40V IF=1A IF=3A Comchip Technology CO., LTD. SMD Schottky Barrier Diodes |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDSER400B | DIODE SW SS 100MA 80V 0503 |
| CDSER400 | DIODE SW SS 100MA 80V 0503 |
| CDSER4148-HF | DIODE SCHOTTKY 75V 150MA 0503 |
| CDSER4148 | DIODE SWITCHING 150MA 75V 0503 |
| CDSER4448 | DIODE SW SS 125MA 80V 0503 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDBW140R-HF | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Low IR SMD Schottky Barrier Rectifiers |
| CDBW160 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Surface Mount Schottky Barrier Rectifier |
| CDBW160R-HF | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Low IR SMD Schottky Barrier Rectifiers |
| CDBW180 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Surface Mount Schottky Barrier Rectifier |
| CDBW46-G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100V, 150mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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