参数资料
| 型号： | CDM-21 |
| 厂商： | Curtis Industries |
| 文件页数： | 1/82页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TERM BLOCK HI CURRENT 21CIRC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | CDM |
| 端接块类型： | 阻隔块 |
| 电路数： | 21 |
| 导线入口数目： | 42 |
| 间距： | 0.546"（13.86mm） |
| 行数： | 2 |
| 电流： | 30A |
| 电压： | 600V |
| 线规： | 10-22 AWG |
| 顶部端子： | 螺钉 |
| 底部端子： | 闭合式 |
| 阻挡层类型： | 双壁（双） |
| 特点： | 法兰，标记条 |
| 包装： | 散装 |
| 安装类型： | 底座安装或面板安装 |
| 工作温度： | 130°C |
| 材料 - 绝缘体： | 热塑性聚酯 |
| 材料可燃性额定值： | UL94 V-0 |
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Curtis
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Terminal
Blocks
Curtis Industries
A Div. of Powers Holdings, Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSG1M-M | FRONT SOLE GROUNDER ASMBLY W/RES |
| DF3AA-3EP-2C | CONN PLUG HOUSING 3POS 2MM |
| MAT-22 | TERM BARRIER 22CIRC DUAL ROW |
| IL-G-7S-S3C2-SA | CONN RCPT HOUSING 7POS 2.5MM |
| O-4 | TERM BLK HI CURRENT 4CIRC 1/0AWG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDM-22 | 功能描述:TERM BLOCK HI CURRENT 22CIRC RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> 接线座 - 隔板块 系列:CDM 标准包装:10 系列:Beau™ 38780 端接块类型:阻隔块 电路数:15 导线入口数目:30 间距:0.438"（11.12mm） 行数:2 电流:15A 电压:300V 线规:14-22 AWG 顶部端子:螺钉 底部端子:焊片 阻挡层类型:双壁（双） 特点:法兰 颜色:黑 包装:散装 安装类型:通孔 工作温度:- 材料 - 绝缘体:聚对苯二甲酸丁二酯（PBT），玻璃纤维增强型 材料可燃性额定值:UL94 V-0 其它名称:038780-111538780-1115387801115 |
| CDM22010-650 SL | 功能描述:MOSFET N-CH 10A 650V TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1168pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
| CDM22011-600LRFP SL | 功能描述:MOSFET N-CH 11A 600V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23.05nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:763pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 |
| CDM22012-800LRFP SL | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1090pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 |
| CDM2205-800FP SL | 功能描述:MOSFET N-CH 5A 800V TO-220FP 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:705pF @ 25V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 |
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