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参数资料
| 型号： | CDSFR355B |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 87K |
| 描述： | DIODE SW SS 100MA 80V 1005 |
| 产品培训模块： | Flat Chip Diodes |
| 标准包装： | 4,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 100mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 80V |
| 电容@ Vr, F： | 3pF @ 0.5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 1005（2512 公制） |
| 供应商设备封装： | 1005（2512 公制） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
       CDSFR355B SMD Switching Diode Preliminary Page 1 QW-A0022 REV:A 5 O C unless otherwise noted) Electrical Characteristics (at TA=2 uA V 0.1 1.0 IR VF Reverse current Forward voltage Parameter Conditions Symbol Min Typ Max Unit VR = 8 0 V IF = 1 00 mA D C nS PF 4 3 CT Trr Capacitance between terminals Reverse recovery time f = 1 MHZ,and 0.5VDC reverse voltage VR = 6 V ,IF =10 mA, RL = 50 ohms mA V V 1000 100 80 90 IO VR VRRM IFSM 5 O C unless otherwise noted) Maximum Rating (at TA=2 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rate load ( JEDEC method) mA 225 Repetitive peak forward current Average forward current Reverse voltage Repetitive peak reverse voltage Forward current,surge peak Parameter Conditions Symbol Min Typ Max Unit O C O C +125 +125 -55 TSTG Tj Storage temperature Junction temperature mW 300 PD Power Dissipation IFRM mA 0.102(2.60) 0.095(2.40) 0.051(1.30) 0.043(1.10) 0.035(0.90) 0.027(0.70) Dimensions in inches and (millimeter) 0.020(0.50) Typ. 0.040(1.00) Typ. Features - High Speed. - Designed for mounting on small surface. - Extremely thin/leadless package. - Low leakage current. - High mounting capability, strong surge w ithstand, high reliability. Mechanical data - Case: 1005/SOD-323F standard package, molded plastic. - Terminals: Gold plated, solderable per MIL-STD-750, method 2026. - Marking Code: Cathode band & S4 - Mounting position: Any. - Weight: 0.006 gram (approx.). RoHS Device 1005/SOD-323F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDSFR355B-HF | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Switching Diode |
| CDSFR355-HF | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR:80V,IO:100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| CDSFR4148 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DFN 150mA 75V Sm Sgnl Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| CDSFR4148-HF | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR=75V, IF=150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| CDSFR4448 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DFN 125mA 80V Sm Sgnl Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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