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参数资料
| 型号： | CDSV-20-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 92K |
| 描述： | DIODE SWITCH 150V 200MA SOD323 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 150V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
       CDSV-19-G/-20-G/-21-G RoHS Device SMD Switching Diode QW-B0030 Page 1 REV:C Features -Fast switching speed. -Small surface mount type, ideally suited for automatic insertion. -Low reverse current and low forward voltage. -High reliability . -For general purpose switching applications. Mechanical data - Case: SOD-323, Molded Plastic - Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 - Weight: 0.01 gram(approx.) Dimensions in inches and (millimeter) Parameter CDSV-20-G Unit Maximum Ratings (at Ta=25°C unless otherwise noted) Non-repetitive peak reverse voltage RMS reverse voltage Forward continuous current (Note 1) Average rectified output current (Note 1) Non-repetitive peak forward surge current @t=1.0uS @t=1.0S Repetitive peak forward surge current Power dissipation Thermal resistance junction to ambient air (Note 1) Operating and storage temperature range VRM VRWM VR IO IFSM RθJA TJ,TSTG VR(RMS) IFM IFRM PD V V V mA mA A mA mW °C/W °C SOD-323 Symbol Parameter Conditions Min Max Unit Electrical Characteristics (at Ta=25°C unless otherwise noted) Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals Reverse recovery time IF=100mA VR=100V VR=150V VR=200V VR=0V, f=1.0MHz IF=IR=30mA, IF=200mA Irr=0.1XIR, RL=100Ω VF IR CT trr 1.0 1.25 5.0 50 V μA pF nS Typ. ----- ----- ----- ----- 0.071(1.80) 0.063(1.60) 0.055(1.40) 0.047(1.20) 0.106(2.70) 0.098(2.50) 0.014(0.35) 0.010(0.25) 0.006(0.15) 0.003(0.08) 0.019(0.475)REF. 0.004(0.10)MAX. 0.039(1.00)MAX. Symbol CDSV-19-G CDSV-21-G 120 100 71 200 150 106 400 200 2.5 0.5 625 250 500 -65 ~ +150 250 200 141 ----- ----- ----- ----- CDSV CDSV -19-G -20-G CDSV-21-G 0.1 0.1 0.1 Working peak reverse voltage DC blocking voltage Repetitive peak reverse voltage VRRM |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CB2012T100KR | INDUCTOR POWER 10UH 520MA 0805 |
| RO-0505S/EP | CONV DC/DC 1W 05VIN 05VOUT |
| CDSV-19-G | DIODE SWITCH 100V 200MA SOD323 |
| 050R30-127B | CABLE FLAT FLEX 30POS 0.5MM 5" |
| RO-0505S/EH | CONV DC/DC 1W 05VIN 05VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CDSV20-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Switching Diode |
| CDSV-21-G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 200V 200mA 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| CDSV21-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:SMD Switching Diode |
| CDSV30FF822JO3 | 功能描述:MICA 制造商:cornell dubilier electronics (cde) 系列:* 零件状态:有效 标准包装:9 |
| CDSV3-16-G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR=75V, IF=300mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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