参数资料
型号: CEFM102-G
厂商: Comchip Technology
文件页数: 2/4页
文件大小: 92K
描述: DIODE FAST 100V 1A SOD-123
标准包装: 2,500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 875mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 25ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 100V
电容@ Vr, F: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123T
供应商设备封装: 迷你型 SMA/SOD-123
包装: 带卷 (TR)
Page 2
QW-BE007
REV:C
Comchip Technology CO., LTD.
Rating and Characteristic Curves (CEFM101-G Thru. CEFM105-G
)
SMD Efficient Fast Recovery Rectifiers
Fig.
3
-
T
est
Circuit
Diagram
and
Reverse
Recovery
T
ime
Characteristics
(+)
(+)
25Vdc
(approx.)
( )
( )
PULSE
GENERATOR
(NOTE 2)
OSCILLISCOPE
(NOTE 1)
1W
NON-
INDUCTIVE
NOTES: 1. Rise Time= 7ns max., Input Impedance= 1 megohm.22pF.
2. Rise T
ime= 10ns max., Source Impedance= 50 ohms.
+0.5A
0
-0.25A
-1.0A
|
|
|
|
|
|
|
|
1cm
SET TIME BASE FOR
50 / 20ns / cm
trr
D.U.T.
10W
NONINDUCTIVE
50W
NONINDUCTIVE
Fig. 2
-
Typical Forward
C
urrent Derating
C
urve
A
v
e
r
a
g
e
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
Ambient Temperature, (°C)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
Fig.1
-
T
ypical Forward
Characteristics
Fig.5
-
T
ypical Junction
Capacitance
Reverse Voltage, (V)
J
u
n
c
t
i
o
n
C
a
p
a
c
i
t
a
n
c
e
,
(
p
F
)
P
e
a
k
F
o
r
w
a
r
d
S
u
r
g
e
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
Fig.
4
-
Maximum
Non-Repetitive
Forward
Surge
Current
0
10
15
30
25
20
1 5 10 50 100
Number of Cycles at 60Hz
8.3mS Single Half Sine
Wave JEDEC methode
TJ=25 °C
25
50
75
100
125
150
175
Single Phase
Half Wave 60HZ
Resistive or Inductive Load
0.375”(9.5mm)Lead Length
Forward Voltage, (V)
0.010.4
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
0.1
1
10
0.8
1.2
2.0
1.6
C
E
F
M
1
0
1
-G
~
C
E
F
M
1
0
3
-G
0.6
1.0
1.4
1.8
C
E
F
M
1
0
1
-G
C
E
F
M
1
0
5
-G
Pulse width 300μs
Tj=25 C
1% duty cycle
0
5
10
15
20
25
30
35
0.01
0.1
1.0
10
100
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