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参数资料
型号： CFY25-20
厂商： SIEMENS A G
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
中文描述： X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
封装： MICRO-X-4
文件页数： 5/8页
文件大小： 2088K
代理商： CFY25-20
CFY25
Semiconductor Group
5 of 8
Draft D, Sep. 0000
Typical Common Source S-Parameters CFY25-20
V
DS
= 3 V, I
D
= 15 mA, Z
o
= 50
|S21|
<S21
|S12|
[magn
]
]
]
3,301
160
0,0170
3,208
155
0,0287
3,107
148
0,0398
3,016
139
0,0502
2,950
130
0,0602
2,877
120
0,0691
2,795
111
0,0767
2,708
102
0,0834
2,621
93
0,0893
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84
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2,451
76
0,0975
2,365
68
0,1000
2,281
60
0,1017
2,202
52
0,1035
2,133
45
0,1049
2,072
38
0,1056
2,020
30
0,1063
1,976
23
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16
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9
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-5
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-13
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1,767
-20
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1,738
-27
0,1114
1,708
-34
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1,678
-41
0,1138
1,651
-49
0,1149
1,627
-56
0,1161
1,607
-63
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1,589
-70
0,1198
1,570
-78
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-86
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1,548
-92
0,1266
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-98
0,1292
1,562
-102
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f
|S11|
<S11
[angle
]
-22
-28
-36
-45
-56
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-78
-88
-98
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73
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51
47
<S12
[angle
]
71
64
59
53
47
42
36
31
25
20
15
10
5
1
-3
-6
-10
-13
-16
-20
-23
-26
-29
-33
-36
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-43
-47
-51
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-59
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-74
-78
-81
|S22|
[magn
]
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0,673
0,660
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0,421
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0,398
0,396
0,394
<S22 k-Fact. S
21
/S
12
[angle
]
-14
0,44
-18
0,50
-23
0,54
-29
0,56
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-91
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1,02
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1,06
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1,37
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157
1,36
152
1,35
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1,32
143
1,28
MAG
[dB]
[GHz] [magn
]
[angle
[magn
[magn]
[dB]
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
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11,0
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12,0
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15,0
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16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
0,958
0,931
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7,7
7,6
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7,4
7,4
7,4
7,6
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PDF描述
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CFY25-23P 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
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