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参数资料
型号： CFY25
厂商： SIEMENS AG
英文描述： GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
中文描述： 砷化镓场效应管（低噪声高增益对于前端放大器离子注入平面结构全部镀金）
文件页数： 6/8页
文件大小： 2088K
代理商： CFY25
CFY25
Semiconductor Group
6 of 8
Draft D, Sep. 0000
Typical Common Source S-Parameters
CFY25-20
(continued)
V
DS
= 3 V, I
D
= 30 mA, Z
o
= 50
|S21|
<S21
|S12|
[mag]
[ang]
[mag]
3,987
159
0,0140
3,858
153
0,0246
3,714
146
0,0346
3,583
138
0,0444
3,484
128
0,0543
3,374
118
0,0621
3,254
108
0,0684
3,129
99
0,0736
3,007
90
0,0779
2,890
82
0,0810
2,776
73
0,0844
2,662
65
0,0863
2,556
57
0,0880
2,458
50
0,0893
2,374
42
0,0904
2,299
35
0,0918
2,233
28
0,0933
2,174
21
0,0945
2,120
14
0,0960
2,071
7
0,0976
2,026
0
0,0990
1,984
-7
0,1006
1,947
-14
0,1026
1,910
-21
0,1047
1,876
-29
0,1066
1,842
-36
0,1088
1,806
-43
0,1108
1,774
-50
0,1140
1,745
-57
0,1170
1,719
-64
0,1199
1,698
-72
0,1229
1,676
-79
0,1257
1,653
-87
0,1286
1,646
-93
0,1320
1,649
-99
0,1350
1,656
-103
0,1376
f
|S11|
<S11
[ang]
-24
-30
-39
-49
-60
-72
-83
-94
-104
-114
-124
-133
-141
-149
-157
-165
-173
179
171
163
154
146
138
130
123
115
107
99
91
83
75
66
58
50
45
40
<S12
[ang]
74
67
60
55
49
43
38
32
27
22
18
14
10
6
3
0
-2
-5
-8
-10
-13
-16
-19
-22
-25
-28
-32
-35
-39
-43
-48
-53
-58
-63
-67
-71
|S22|
[mag]
0,657
0,647
0,634
0,621
0,608
0,594
0,576
0,557
0,541
0,527
0,515
0,505
0,498
0,492
0,486
0,480
0,474
0,467
0,459
0,453
0,446
0,441
0,436
0,432
0,428
0,425
0,424
0,422
0,421
0,419
0,417
0,414
0,412
0,410
0,409
0,407
<S22 k-Fact. S
21
/S
12
[ang]
[mag]
-15
0,49
-18
0,53
-23
0,56
-28
0,59
-35
0,58
-41
0,60
-47
0,63
-53
0,67
-59
0,70
-65
0,74
-72
0,78
-78
0,83
-84
0,88
-89
0,93
-94
0,98
-99
1,02
-103
1,07
-108
1,11
-112
1,15
-118
1,18
-123
1,21
-129
1,23
-136
1,24
-142
1,25
-149
1,26
-155
1,27
-161
1,28
-167
1,27
-173
1,26
-179
1,26
175
1,24
168
1,23
162
1,23
157
1,20
152
1,16
148
1,13
MAG
[dB]
[GHz] [mag]
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
13,5
14,0
14,5
15,0
15,5
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
[dB]
24,5
22,0
20,3
19,1
18,1
17,4
16,8
16,3
15,9
15,5
15,2
14,9
14,6
14,4
14,2
14,0
13,8
13,6
13,4
13,3
13,1
12,9
12,8
12,6
12,5
12,3
12,1
11,9
11,7
11,6
11,4
11,2
11,1
11,0
10,9
10,8
0,953
0,921
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0,861
0,836
0,814
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0,768
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0,731
0,714
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0,620
0,609
0,600
0,592
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0,579
0,574
0,571
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0,556
0,556
0,557
0,559
0,561
0,565
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11,1
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10,1
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9,6
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8,7
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8,4
8,3
8,2
8,3
8,4
8,6
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PDF描述
CFY25-17 GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
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相关代理商/技术参数
参数描述
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CFY25-20 (S) 功能描述:射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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CFY25-23 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
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